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（报告出品方/分析师：慧博智能研投）

光刻胶发展至今已有百年历史，现已广泛用于集成电路、显示、PCB 等领域，是光刻工艺的核心材料。高壁垒和高价值量是光刻胶的典型特征。光刻胶属于技术和资本密集型行业，全球供应市场高度集中。而目前，我国光刻胶自给率较低，生产也主要集中在中低端产品，国产替代的空间广阔。随着国内厂商在高端光刻胶领域的逐步突破，未来国产替代进程有望加速。

下面我们通过对光刻胶概述、发展壁垒、相关政策、产业链及相关公司等方面进行深度梳理，试图把握光刻胶未来发展。

一、光刻胶行业概述

1.光刻是光电信息产业链中核心环节

光刻技术是指利用光学-化学反应原理和化学、物理刻蚀方法，将图形传递到介质层上，形成有效图形窗口或功能图形的工艺技术，是光电信息产业链中的核心环节之一。以芯片制造为例，在晶圆清洗、热氧化后，需通过光刻和刻蚀工艺，将设计好的电路图案转移到晶圆表面上，实现电路布图，之后再进行离子注入、退火、扩散、气相沉积、化学机械研磨等流程，最终在晶圆上实现特定的集成电路结构。

2.光刻胶是光电工艺核心材料

光刻胶，又称光致抗蚀剂，是一种对光敏感的混合液体，是光刻工艺中最核心的耗材，其性能决定着光刻质量。作为图像转移“中介”，光刻胶是通过曝光显影蚀刻工艺发挥转移作用，首先将光刻胶涂覆于有功能层的基底上，然后紫外光通过掩膜版进行曝光，在曝光区促使光刻胶发生溶解度变化反应，选择性改变其在显影液中的溶解度，未溶解部分最后在蚀刻过程中起保护作用，从而将掩模版上的图形转移到基底上。

3.光刻胶分类

（1）按反应机理可分为正性和负性光刻胶

根据化学反应机理不同，光刻胶可分正性光刻胶和负性光刻胶。正性光刻胶受光照射后，感光部分发生分解反应，可溶于显影液，未感光部分显影后仍留在基底表面，形成的图形与掩膜版相同。负性光刻胶正好相反，曝光后的部分形成交联网格结构，在显影液中不可溶，未感光部分溶解，形成的图形与掩膜版相反。

（2）按应用领域可分为 PCB、LCD、半导体光刻胶

根据应用领域不同，光刻胶可分为 PCB 光刻胶、LCD 光刻胶和半导体光刻胶，技术门槛逐渐递增。

4.行业现状

（1）全球光刻胶供给高度集中，海外龙头已实现高端制程量产

光刻胶属于技术和资本密集型行业，目前核心技术主要掌握在日、美等国际大公司手中，全球供应市场高度集中，日本 JSR 等五家龙头企业占据全球光刻胶市场 87%的份额。同时，海外龙头已实现高端制程量产，其中日本主要厂商已实现领域内最先进的 EUV 光刻胶的量产，以陶氏、德国默克、锦湖石化为代表的其他光刻胶厂商也已实现 ArF 光刻胶的量产。

（2）国内光刻胶以中低端产品为主，高端领域逐步突破

我国光刻胶行业起步较晚，生产能力主要集中在 PCB 光刻胶、TN/STN-LCD 光刻胶等中低端产品，其 中 PCB 光刻胶占比达 94%。先进制程半导体光刻胶方面，g/i 线胶自给率约 10%，KrF 胶自给率不足 5%，ArF 胶基本依靠进口，而 EUV 胶还仍处研发阶段。

（3）国内企业产能持续扩张

目前，光刻胶专用电子化学品主要被日本、欧美企业占据较大市场份额。但经过多年技术积累，国内已形成一定光刻胶用电子化学品产能，国内相关公司市场份额逐步提升，国产替代正持续进行。

二、光刻胶行业壁垒高

1.工艺技术壁垒高

光刻胶生产工艺复杂，技术壁垒高，其研发和量产需要企业的长期技术积累，对企业研发人员的素质、行业经验、技术储备等都具有极高要求，新进入者需要极大的研发投入。

光刻胶的研发是不断进行配方调试的过程，配方研发是通过几百个、几千个树脂、光酸和添加剂的排列组合尝试出来，且难以通过现有产品反向解构出其配方，这对技术及经验积累有非常高的要求。

同时，产品纯度、金属离子杂质控制等也是光刻胶生产工艺中需面临的技术难关，光刻胶纯度不足会导致芯片良率下降。而从实验室到稳定量产也是光刻胶行业中的关键壁垒。

此外，高端光刻胶生产的大量专利掌握在海外龙头企业中，这在光刻胶技术上已构建了专利壁垒，阻碍后来者进入。

以 EUV 光刻胶为例，全球专利申请量前十名中日本占据 7 席，富士胶片以 422 件排在第 一；美国罗门哈斯和陶氏化学占据两席；韩国三星电子占据一席。

2.设备壁垒高

除项目研发需要持续资金投入外，送样前，光刻胶生产商需要购置光刻机用于内部配方测试，根据验证结果调整配方。

光刻机设备昂贵，数量有限且供应可能受国外限制，尤其是 EUV 光刻机目前全球只有 ASML 能批量供应。而光刻机造价高昂，且价格持续上升。

除成本高昂外，受《瓦森纳协定》限制，中国大陆企业较难购买最先进的光刻机。

3.客户壁垒高

光刻胶具有高客户壁垒，由于芯片制造所需光刻过程复杂多样，不同光刻过程、同一光刻过程的不同厂家对光刻胶的需求也有差异，因此光刻胶生产商需要调整光刻胶配方以满足差异化需求。而光刻胶达到下游客户要求的技术指标后，还需要进行较长时间验证测试（1-3 年）。

因此，一旦达成合作，光刻胶厂商和下游集成电路制造商会形成长期合作关系。

此外，光刻胶更新换代较快，光刻胶厂家出于技术保密考虑，一般会和上游原料供应商进行密切合作，共同开发新技术，增大了客户的转换成本。

因此，光刻胶行业的上下游合作处于互相依赖互相依存的关系，市场新进入者很难与现有企业竞争，签约新客户的难度高。

4.原材料壁垒高

国内产业链尚不完善，上游原材料是影响光刻胶品质的重要因素，目前我国光刻胶原材料市场基本被国外厂商垄断，尤其是树脂和感光剂高度依赖于进口，国产化率很低，由此增加了国内光刻胶生产成本以及供应链风险。

三、光刻胶国产化前景

1.政策扶持，进口替代加速

近年来，我国政府大力扶持半导体与原料产业发展，陆续出台了多项政策支持光刻胶行业发展，推动产业大力研发，国产光刻胶也有望加速验证，获得更多国内市场份额，突破“卡脖子”技术，早日实现产业链核心技术国产化替代。

2.光刻胶下游结构分布均衡，市场规模持续增长

光刻胶下游应用分布较为较为均衡，其中 LCD 用光刻胶占光刻胶总消费量的比例达 27%，半导体用光刻胶、PCB 用光刻胶占比均为 24%，其他类光刻胶占比达 25%。

近年，电子信息产业更新换代速度不断加快，同时，随着半导体、显示面板、光刻胶产业的东移，国内光刻胶需求快速提升，我国光刻胶市场规模从 2015 年的 100 亿元，快速增长至 2020 年的 176 亿元，年均复合增速高达 11.97%。

3.国内面板光刻胶需求快速增长，半导体光刻胶市场稳中有升

近年 PCB 光刻胶市场需求增长稳定。受益于 LCD 产业由日韩加速向国内转移，同时大尺寸面板需求快速增长，国内面板光刻胶需求高速提升。而光刻胶作为关键半导体材料之一，近年市场规模也稳定增长。半导体光刻胶主要用于晶圆制造环节，未来随着国内晶圆厂的高速建设，半导体光刻胶市场空间广阔。

4.国外断供，有望推动国产替代进程

2021 年 2 月，日本福岛东部海域发生 7.3 级地震，导致信越化学在当地的产线遭受破坏，因此信越化学向中国大陆多家晶圆厂限制供应 KrF 光刻胶，并向小规模晶圆厂通知停止供应，之后，KrF 光刻胶供需也一致处于进展状态。

2022 年 3 月，日本福岛外海再次发生规模 7.3 级地震，信越化学工厂再次受到影响。当前，日美厂商占据了全球光刻胶市场绝大份额，半导体光刻胶的进口比例高达九成。同时，高端光刻胶保质期较短，且保存较为困难，芯片制造商通常不会大量囤货。一旦日美厂商限供，中国芯片制造厂商难免陷入“无胶可用”的困境。

因此，信越断供以及当前国际大环境的变化，有望推动国产替代进程，国产光刻胶也有望加速验证，获得更多国内市场份额。

四、产业链分析

1.产业链概述

上游主要依托基础化工原料，生产树脂、光引发剂、溶剂、单体等电子化学品。

中游为光刻胶成品制造，包括 PCB 光刻胶、面板光刻胶和半导体光刻胶的制备。

下游为印刷电路板、显示面板和电子芯片，广泛应用于消费电子、航空航天、军工等领域。

2.上游

从含量来看，根据 Trendbank 数据，光刻胶主要原材料占比从大到小分别是溶剂（50%-90%）、树脂（10%-40%）、光引发剂（1%-6%）以及添加剂（ /阅读下一篇/ 返回网易首页 下载网易新闻客户端