先进工艺技术为先进片上系统（SoC）提供了更好的功耗、性能和面积（PPA）优势。在先进的FinFET（鳍式场效应晶体管）节点上，芯片架构采用小型高密度芯片封装，包含数十亿个晶体管，这给量产带来了新的挑战。内存接口IP可以帮助简化开发流程，提供经验证的解决方案，从而降低集成风险并加快产品的整体上市速度。

对于LPDDR5X，物理层（PHY）和控制器共同支持低延迟操作和快速数据传输，同时实现出色的功耗效率。作为JEDEC固态技术协会低功耗存储器小组委员会的积极成员，新思科技的专家在LPDDR内存接口标准的发展过程中发挥着重要作用。我们的产品组合包括坚固耐用的LPDDR5X物理层和控制器IP，具有超低的延迟和超小的面积，并符合最新的标准。新思科技LPDDR5控制器IP包括集成内嵌存储加密（IME）安全模块，通过符合标准的独立读/写通道加密支持和按区域加密/解密，确保数据机密性。该控制器经过高度优化，能够实现出色的延迟、面积和性能。

新思科技LPDDR5X/5/4X PHY IP适用于ASIC、ASSP、SoC和系统级封装应用，并提供灵活的配置选项。这种设计能够与新思科技LPDDR5X/5/4X控制器IP进行快速集成，后者针对功耗、延迟、带宽和面积进行了优化，从而提供完整的DDR接口解决方案。LPDDR5X PHY IP采用半导体行业先进的3nm FinFET工艺技术，展示出了令人瞩目的速度（8533Mbps和高达9600 Mbps——超频！），并提供了全开的眼图和清晰的裕量。

通过与经验丰富的IP供应商合作，开发者可以放心地进行设计，因为我们的IP已经过不同工作条件下的全面测试，包括极端温度和涉及电迁移的场景，并符合特定标准（如汽车功能安全）。