各位好，我按照LM3478的数据手册以及WEBENCH的设计分别做了一个输入为25——30V，输出100V，0.5A的板子，但是两块都不能用，两个都是boost升压电路，基本结构差不多。我给板子空载上电，从0开始加，加到3V以上时就会有电流，加大5V时电流就很大，有0.4A左右，在往上加电源就过流保护了。我发现FB端一直是低于1.26V，DR端一直是高导致MOS管一直打开，电流很大。断开DR和MOS管G级连接，直接在mos管上加一个350KHz，占空比为0.2的方波，mos能正常导通和关闭，输出电压也上去了，52V，提高输入电压和提高占空比能提高输出电压，在52V时带67欧的负载电压降至22V，电流0.4A。我在FB端直接给了一个三角波，峰峰值1.7V，FB能给出方波的波形。但是将芯片DR和mos的G连上后，输出电压就和输入电压几乎相等了。求各位能提供一些建议为什么会这样，怎么解决呢？附上原理图PCB和各点电位测量图。芯片是TI申请的。

想要解决的问题：

 1.为什么芯片DR和MOS的G连接后不能正常工作？

 2.为什么加大电压后mos一直导通，电流很大，输出不正常？

3.为什么我在FA/SD端看不到芯片工作的波形，但是直接给FB接信号源后DR能输出方波？

4.COMP的补偿怎么匹配？

第一次发帖求助，有什么不足之处还请大家多多包涵，请大家指出我的错误，在此先谢谢大家了。