vasp 结构优化、静态计算、能带计算、态密度计算 |
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接上一篇结构优化后,进行静态计算(scf)。 静态计算 使用命令将结构优化的文件夹(opt)复制为静态计算的文件夹(scf) cp -r opt scf打开scf文件夹,将生成的CONTCAR替换POSCAR cp CONTCAR POSCAR修改INCAR,只需修改 ISTART = 1 ; ICHARG =1;IBRION = -1; NSW =0 然后保存,提交任务;计算结束后可通过查看CHGCAR (用vesta)分析电荷密度。 DOS(态密度): 在静态计算基础上,进行态密度计算; 复制scf文件夹命名为dos cp -r scf dos修改INCAR文件:ISTART = 1 ; ICHARG =11;添加 NEDOS=1000; 提交任务。之后通过vaspkit生成DOS图(前提需要将vaspkit复制到该文件夹下) 运行vaspkit ./vaspkitvaspkit > 11>115 (115生成pdos分态密度,111只生成tdos总态密度) 示范115:vaspkit > 11>115后需要选择所需的原子以及轨道(注:轨道与INCAR中的LORBIT设置有关,设置为10为spf轨道,11会细致到sx sy sz px 等) 就先输入原子 回车 再输入轨道: eg : Mn s 选择完之后再点击回车就会生成dat文件,下载用Origin打开. band计算: 在静态计算基础上,进行态密度计算; 复制scf文件夹命名为band 用vaspkit产生HSE计算需要的KPOINTS文件,vaspkit ——> 303(体相材料Si)产生包含高对称点信息的KPATH.in 将KPATH.in替换KPOINTS cp KPATH.in KPOINTS修改Incar ISTART = 1 ; ICHARG =11;添加 NBAND=120;ISYM =-1;LREAL =Auto; LPETIM = .FALSE. 提交任务 使用vaspkit>21>211生成band.dat,下载用Origin打开.
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