2N7000场效应管引脚配置 |
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2N7000场效应管引脚配置
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2N7000是一款N沟道逻辑电平MOSFET，能够切换60V电压。最大漏极电流额定值为200mA（连续），典型漏源电阻为1.2欧姆，栅极阈值电压为3V（VDS=VGS，ID毫安）。 2N7000 MOSFET器件非常适合小灯、继电器和电机等低功率开关应用。 2N7000 MOSFET采用TO-92封装，其SMD版本 (2N7002 ) 采用SOT-23或TO-236封装。P沟道BS520P是它的互补型号。
类似其他任何MOSFET一样，2N7000引脚排列具有三个引脚，从左到右分别为源极、栅极和漏极（扁平侧，引线指向下方），具体如下图所示：
引脚名称 描述 G Gate 控制MOSFET，用于打开和关闭它。 D Drain 电流流经漏极，通常连接到负载（P沟道）。 S Source 电流通过发射极从晶体管流出，通常接地（P沟道）。 注意： ONSEMI在2022年1月发布了2N7000最新数据表，但其引出线部分存在错误，在新数据表中的Drain和Source引脚被交换了。而实际的引脚排列与上图是相同的：即引脚1是源极，引脚3是漏极。 规格参数 下面以表格形式给出了2N7000器件的主要技术规格参数。 特征 值 类型 N沟道 封装 TO-92 漏源电压 60伏 栅源电压 ±20伏 栅极阈值电压 最大3V 最大漏极电流 – 连续 200毫安 最大漏极电流脉冲 500毫安 最大结温 -55°C至150 °C 最大限度。R DS(ON) (V GS = 10 V, I D = 500 mA) 5 欧姆 最大功耗 400毫瓦 规格特点 压控小信号开关 2N7000是坚固可靠的MOSFET 具有高饱和电流能力 该器件提供无铅和无卤素版本 等效的2N7000器件型号包括：BS170、2N7002/NDS7002A(贴片版)、IRFZ44、IRF540N、IRF3205。 主要应用 对于低于200 mA（连续）和 500mA脉冲的开关负载。 控制小型伺服电机 作为功率MOSFET栅极驱动器。 低功率开关应用：小型灯、电机和继电器。 应用于LED闪光器和调光器中。 开关测试电路和开关波形图
1、2N7000是什么类型的MOSFET？ 答：2N7000是一款N沟道增强型MOSFET ，非常适合小灯、继电器和电机等低功率开关应用。MOSFET设计用于在几乎即时的基础上需要开关速度的条件下工作，这些速度要求使它们成为电源和转换器等应用的理想选择。 2、2N7000是功率MOSFET吗？ 不，2N7000 不是功率 MOSFET，因为它具有低电流/电压特性和TO-92 封装。它相当于一个开关晶体管，但额定功率稍高。像FQP30N06L这样的MOSFET被称为功率MOSFET。 3、2N7000是逻辑电平MOSFET吗？ 答：是的，2N7000是一个逻辑电平MOSFET，因为它具有3V的低栅极阈值电压（VDS=VGS，ID=1mA），这意味着它可以通过使用微控制器的逻辑电平（3.3V或5V）完全打开。 |
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