10N65场效应管参数中文资料PDF(选型替代FQP10N65) - 壹芯微

10N65场效应管参数(电流(ID):10A,电压(VDSS):650V),N沟道增强型场效应晶体管,10N65场效应管封装形式为TO220,10N65场效应管封装引脚规格书(PDF)

壹芯微10N65数据手册下还有热特性，静态特性与电气参数等，建议自行阅读观看。

10N65,TO220数据手册(查看下载)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS 绝对最大额定参数(Ta=25℃)

SYMBOL符号 | PARAMETER参数 | VALUE值 | UNIT单位 

VDSS | Drain-Source Voltage漏源电压 | 650 | V 

VGS | Gate-Source Voltage-Continuous源电压-连续 | ±30 | V

ID | Drain Current-Continuous漏极电流-连续 | 2 | A

IDM |Drain Current-Single Plused漏极电流-单加 | 8 | A 

PD | Total Dissipation总耗散@Tc=25℃ | 54 | W

TJ | Max. Operating Junction Temperature最大工作结温 |150 | ℃

Tatg标签 |Storage Temperature储存温度 | -55-150 | ℃

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