FDD3860和IRFZ24N 區別, FDD3860 替代型號 |
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FDD3860和IRFZ24N 區別, FDD3860 替代型號
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元件比較選型：FDD3860和IRFZ24N 區別差異
FDD3860與IRFZ24N、FDD3670對比
更新时间：2022-12-03 07:31:05
FDD3860
飞兆/仙童
VS
IRFZ24N
英飞凌
VS
FDD3670
飞兆/仙童
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說明
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3860 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 100 V, 0.029 ohm, 10 V, 3.8 V
FDD3860 更多代替型号
N沟道 55V 17A
IRFZ24N 更多代替型号
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3670 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 2.5 V
FDD3670 更多代替型号
規格書
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製造商
飞兆/仙童
英飞凌
飞兆/仙童
分類
MOS管
MOS管
MOS管
封裝參數 安裝類型 Surface Mount Through Hole Surface Mount 引腳數 3 3 3 封裝 TO-252-3 TO-220 TO-252-3技術參數 針腳數 3 - 3 漏源極電阻 0.029 Ω 70.0 mΩ 0.022 Ω 極性 N-Channel N-Channel N-Channel 功耗 69 W 45.0 W 83 W 閾值電壓 3.8 V - 2.5 V 漏源極電壓(Vds) 100 V 55.0 V 100 V 連續漏極電流 6.2A 17.0 A 34.0 A 輸入電容(Ciss) 1740pF @50V(Vds) 370pF @25V(Vds) 2490pF @50V(Vds) 額定功率(Max) 3.1 W - 1.6 W 工作溫度(Max) 150 ℃ 175 ℃ 175 ℃ 工作溫度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃ 耗散功率(Max) 3.1W (Ta), 69W (Tc) 45000 mW 3.8W (Ta), 83W (Tc) 額定電壓(DC) - 55.0 V 100 V 額定電流 - 17.0 A 34.0 A 通道數 - - 1 輸入電容 - - 2.49 nF 柵電荷 - - 57.0 nC 漏源擊穿電壓 - 55.0 V 100 V 柵源擊穿電壓 - ±20.0 V ±20.0 V 上升時間 - 34 ns 10 ns 下降時間 - 27 ns 25 ns 产品系列 - IRFZ24N -外形尺寸 長度 6.73 mm - 6.73 mm 寬度 6.22 mm - 6.22 mm 高度 2.39 mm - 2.39 mm 封裝 TO-252-3 TO-220 TO-252-3物理參數 工作溫度 -55℃ ~ 150℃ (TJ) - -55℃ ~ 175℃ (TJ) 材質 - Silicon -其他 產品生命週期 Active Active Active 包裝方式 Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)符合標準 RoHS指令狀態 RoHS Compliant Non-Compliant RoHS Compliant 無鉛狀態 Lead Free Contains Lead Lead Free REACH SVHC標準 No SVHC - No SVHC REACH SVHC版本 2015/06/15 - 2015/06/15海關信息 ECCN編碼 - - EAR99 參考價格（） $ 36.734 全部價格 (10家) $ 0.483 全部價格 (3家) $ 1.000 全部價格 (11家) 總庫存量(pcs) 25k 0 0 概述 查看全部 IRFZ24N 產品概述Benefits: .RoHS Compliant.Low RDS(on).Industry-leading quality.Dynamic dv/dt Rating.Fast Switching.Fully Avalanche Rated.175°C Operating Temperature 查看全部 FDD3670 產品概述The FDD3670 is a N-channel MOSFET produced using Fairchild Semiconductor"s PowerTrench® process. It has been designed specifically to improve the overall efficiency of DC-to-DC converters using either synchronous or conventional switching PWM controllers. It features faster switching and lower gate charge than other MOSFETs with comparable RDS (ON) specifications. The result is a MOSFET that is easy and safer to drive (even at very high frequencies) and DC-to-DC power supply designs with higher overall efficiency. .Fast switching speed.High performance Trench technology for extremely low RDS (ON).High power and current handling capability.57nC Typical low gate charge 查看全部 更多代替型号 FDD3860 更多代替型号 IRFZ24N 更多代替型号 FDD3670 更多代替型号 代換代替器件推薦 圖片 型号 製造商 分類 代替類型 描述 PDF 相比
FDD3682
TO-252
N-Channel
100V
32A
32mohms
1.25nF
飞兆/仙童
MOS管
類似代替
功能特性相符，部分主要參數一致，但元件電氣特性有一些不同
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3682 晶体管, MOSFET, N沟道, 32 A, 100 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
FDD3860和FDD3682區別
FDD3670
TO-252
N-Channel
100V
34A
22mohms
2.49nF
飞兆/仙童
MOS管
類似代替
功能特性相符，部分主要參數一致，但元件電氣特性有一些不同
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3670 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 2.5 V
FDD3860和FDD3670區別
FDD3672
TO-252
N-Channel
100V
44A
28mohms
1.71nF
飞兆/仙童
MOS管
類似代替
功能特性相符，部分主要參數一致，但元件電氣特性有一些不同
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3672 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 100 V, 0.024 ohm, 10 V, 4 V
FDD3860和FDD3672區別
STD25NF10LT4
TO-252
N-Channel
100V
25A
30mΩ
意法半导体
MOS管
功能相似
器件功能特性相符，但主要參數不一致，對電路結構修正，可進行代換。如更換，請務必閱讀數據文檔
N 通道 STripFET™ II，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
FDD3860和STD25NF10LT4區別
STD25NF10T4
TO-252
N-Channel
100V
12.5A
33mohms
意法半导体
MOS管
功能相似
器件功能特性相符，但主要參數不一致，對電路結構修正，可進行代換。如更換，請務必閱讀數據文檔
STMICROELECTRONICS STD25NF10T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 12.5 A, 100 V, 33 mohm, 10 V, 3 V
FDD3860和STD25NF10T4區別
BUK9230-100B,118
DPAK
N-Channel
100V
47A
恩智浦
MOS管
功能相似
器件功能特性相符，但主要參數不一致，對電路結構修正，可進行代換。如更換，請務必閱讀數據文檔
DPAK N-CH 100V 47A
FDD3860和BUK9230-100B,118區別
BUK9240-100A
SOT-428
N-Channel
100V
33A
恩智浦
MOS管
功能相似
器件功能特性相符，但主要參數不一致，對電路結構修正，可進行代換。如更換，請務必閱讀數據文檔
NXP BUK9240-100A 晶体管, MOSFET, N沟道, 33 A, 100 V, 38.6 mohm, 10 V, 1.5 V
FDD3860和BUK9240-100A區別
FDD3860和IRFZ24N，FDD3670的區別：FDD3860 TO-252 N-Channel 100V 6.2A；IRFZ24N TO-220 N-Channel 55V 17A 70mΩ，FDD3670 TO-252 N-Channel 100V 34A 22mohms 2.49nF。FDD3860和IRFZ24N；FDD3670哪個好：FDD3860 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3860 晶体管, MOSFET, N沟道, 29 A, 100 V, 0.029 ohm, 10 V, 3.8 V；IRFZ24N N沟道 55V 17A；FDD3670 FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD3670 晶体管, MOSFET, N沟道, 34 A, 100 V, 0.022 ohm, 10 V, 2.5 V。FDD3860和IRFZ24N，FDD3670對比：FDD3860 封裝:TO-252-3,引腳數:3,功耗:69 W,針腳數:3,漏源極電阻:0.029 Ω,極性:N-Channel,漏源極電壓:100 V,閾值電壓:3.8 V,連續漏極電流:6.2A,工作溫度:-55℃ ~ 150℃ (TJ),長度:6.73 mm,寬度:6.22 mm,高度:2.39 mm,安裝類型:Surface Mount,包裝方式:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,無鉛狀態:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,產品生命週期:Active,晶體管極性:N Channel,輸入電容:1740pF @50V(Vds),額定功率:3.1 W,工作溫度:150 ℃,工作溫度:-55 ℃,耗散功率:3.1W (Ta), 69W (Tc),reach svhc版本:2015/06/15；IRFZ24N 封裝:TO-220,引腳數:3,功耗:45.0 W,上升時間:34 ns,額定電壓:55.0 V,漏源極電阻:70.0 mΩ,極性:N-Channel,漏源極電壓:55.0 V,額定電流:17.0 A,漏源擊穿電壓:55.0 V,柵源擊穿電壓:±20.0 V,連續漏極電流:17.0 A,材質:Silicon,产品系列:IRFZ24N,安裝類型:Through Hole,包裝方式:Tube,無鉛狀態:Contains Lead,rohs:Non-Compliant,產品生命週期:Active,輸入電容:370pF @25V(Vds),下降時間:27 ns,工作溫度:175 ℃,工作溫度:-55 ℃,耗散功率:45000 mW；FDD3670 封裝:TO-252-3,引腳數:3,通道數:1,功耗:83 W,針腳數:3,上升時間:10 ns,輸入電容:2.49 nF,額定電壓:100 V,漏源極電阻:0.022 Ω,極性:N-Channel,閾值電壓:2.5 V,eccn編碼:EAR99,漏源極電壓:100 V,額定電流:34.0 A,漏源擊穿電壓:100 V,柵源擊穿電壓:±20.0 V,連續漏極電流:34.0 A,工作溫度:-55℃ ~ 175℃ (TJ),柵電荷:57.0 nC,長度:6.73 mm,寬度:6.22 mm,高度:2.39 mm,安裝類型:Surface Mount,包裝方式:Tape & Reel (TR),reach svhc:No SVHC,無鉛狀態:Lead Free,rohs:RoHS Compliant,產品生命週期:Active,工作溫度:175 ℃,工作溫度:-55 ℃,耗散功率:3.8W (Ta), 83W (Tc),reach svhc版本:2015/06/15,晶體管極性:N Channel,輸入電容:2490pF @50V(Vds),額定功率:1.6 W,下降時間:25 ns。 型號對應頁索引: A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 |
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