•动态dV/dt额定值

•重复雪崩额定

•p沟道

•175℃操作温度

•快速交换

•易于并行

•驱动器要求简单

第三代功率mosfts从Vishay提供设计师与最佳组合的快速切换，坚固耐用的器件设计和低通阻成本效益。

TO-220AB包装是普遍商业和工业的首选。在功耗方面的应用高度约50w。低热阻而使得TO–220AB的低包

装成本，这也是IRF9530在业界中被广泛接受的原因之一。

Vds-漏源极击穿电压：100 V

Id-连续漏极电流：12 A

Rds On-漏源导通电阻：300mOhms

Vgs-栅极-源极电压：- 20 V, + 20 V

Vgs th-栅源极阈值电压：4 V

Qg-栅极电荷：38 nC

Pd-功率耗散：88 W

晶体管极性：P-Channel

封装：TO-220AB-3

通道数量：1 Channel

最小工作温度：- 55 C

最大工作温度：+ 175 C

正向跨导 - 最小值：3.7 S

下降时间：39 ns

上升时间：52 ns

工厂包装数量：50

典型关闭延迟时间：31 ns

典型接通延迟时间：12 ns

单位重量：6 g

(威世) IRF9530PBF、（安森美）MTP12P10、（安森美）MTP12P10G