IR2104死区时间异常,引起mos管空载发热 |
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在做一款电机控制器时发现半桥驱动的频率从1k调整到15k之后,mos管在空载下的发热变的特别严重,直接多了250ma的电流损耗,一共驱动了3颗mos,上半桥一颗,下半桥一颗。随即开始查找问题的根源,在排除了mos管本身的问题、外围驱动器件的问题,pcb板本身的问题、驱动电路本身的问题之后,最终将问题定位在半桥驱动的死区时间过短上。 目录 一、简化原理图 二、发现的问题 三、解决方案 四、问题的根源 一、简化原理图 二、发现的问题 在上桥打开时,下桥还没有完全关断,维持时间大概有100个ns左右的 在下桥打开瞬间,上桥还没有完全关断,维持时间大概有100个ns左右的 三、解决方案中间通过换驱动电阻,减慢上桥启动速度,情况有一些好转,但还是没有完全解决问题。最终通过给各个mos管g极加入放电电路,解决问题。 电路如下: 原有驱动电路为: 加上电路之后的波形: 打开时,在上桥关断之后,下桥才开始打开,没有交叉 关断时,在下桥关断之后,上桥才打开,没有交叉 四、问题的根源
在半桥芯片的datasheet文档中,死区时间的典型值大概520ns,且不可调,而波形图中,驱动电路的打开和关闭明显超过了520ms,造成问题的发生。加上放电电路之后,mos管不在发热,控制板电流正常。
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