光刻胶有 G 线光刻胶、I 线光刻胶、KrF 光刻胶和 ArF 光刻胶四种

半导体光刻胶根据曝光光源波长的不同来分类。常用曝光光源一共有六种，分别是紫外全谱（300～450nm）、 G 线（436nm）、 I 线（365nm）、深紫外（DUV，包括 248nm 和 193nm）和极紫外（EUV），相对应于各曝光波 长的光刻胶也应运而生。不同的光刻胶中，根据不同的需求，关键配方成份如成膜树脂、光引发剂、添加剂等 也有所不同，使得光刻胶有不同的性能，进而能够满足相应的需求。

目前主要的光刻胶有 G 线光刻胶、I 线光刻胶、KrF 光刻胶和 ArF 光刻胶四种，其基本信息如下所示。

半导体光刻胶类型：

为满足更高集成度更精密的集成电路制造，必须采用更短波长的光源，半导体光刻胶也需做出适应性改变。 随着 IC 集成度的提高，世界集成电路的制程工艺水平已由微米级、亚微米级、深亚微米级进入到纳米级阶段。光的波长对图形精细化转移有着至关重要的作用，因为它会影响感光材料分辨率。波长越短，则分辨率越高。为适应集成电路线宽不断缩小的要求，光刻胶的波长由紫外宽谱向 G 线(436nm)→I 线(365nm)→KrF(248nm)→ ArF(193nm)→F2(157nm)→EUV（