静态ram和动态ram的区别 静态ram和动态ram哪个快

1、ROM和RAM指的都是半导体存储器，ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据，而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据。

2、RAM分为两大类：SRAM和DRAM。

SRAM为静态RAM(Static RAM/SRAM)，SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储设备，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲。

DRAM为动态RAM(Dynamic RAM/DRAM)，DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的ROM都要快，但从价格上来说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的。RAM价格相比ROM和FLASH要高。

3、LASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是这种存储器。

扩展资料：

存储器的概念很广，在集成电路中，一个没有实物形式的具有存储功能的电路也叫存储器，如RAM、FIFO等；在系统中，具有实物形式的存储设备也叫存储器，如内存条、TF卡等。

计算机中全部信息，包括输入的原始数据、计算机程序、中间运行结果和最终运行结果都保存在存储器中。它根据控制器指定的位置存入和取出信息。有了存储器，计算机才有记忆功能，才能保证正常工作。

计算机中的存储器按用途存储器可分为主存储器（内存）和辅助存储器（外存）,也有分为外部存储器和内部存储器的分类方法。外存通常是磁性介质或光盘等，能长期保存信息。内存指主板上的存储部件，用来存放当前正在执行的数据和程序，但仅用于暂时存放程序和数据，关闭电源或断电，数据会丢失。

参考资料：存储器 百度百科

内存的物理实质是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。内存按存储信息的功能可分为只读存储器ROM（Read Only Memory）、可改写的只读存储器EPROM（Erasable Progrmmable ROM）和随机存储器RAM（Random Access Memory）。ROM中的信息只能被读出，而不能被操作者修改或删除，故一般用于存放固定的程序。EPROM和一般的ROM不同点在于它可以用特殊的装置擦除和重写它的内容，一般用于软件的开发过程。RAM就是我们平常所说的内存，主要用来存放各种现场的输入、输出数据，中间计算结果，以及与外部存储器交换信息。它的存储单元根据具体需要可以读出，也可以写入或改写。一旦关闭电源或发生断电，其中的数据就会丢失。现在的RAM多为MOS型半导体电路，它分为静态和动态两种。静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠MOS电路中的栅级电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给予补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用静态RAM。另外，内存还应用于显卡，声卡及CMOS等设备中，用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。

动态RAM按制造工艺的不同，又可分为动态随机存储器（Dynamic RAM）、扩展数据输出随机存储器（Extened Data Out RAM）和同步动态随机存储器（Sysnchromized Dynamic RAM）。

缓存是 CPU 内部的，而内存是位于 CPU 外的。

CPU 存取数据的速度非常的快，一秒能够存取十亿条指令和数据（术语：CPU 主频1G），而相对于这个来说，内存就显得很慢了。

缓存的存在是为了解决 CPU 和内存之间存取速度的差异的。内存中被CPU 访问最频繁的数据和指令会被复制到CPU 的缓存中（这其中的“频繁”是由专门的算法来定义的），这样 CPU 就不用去很慢的内存中读取需要的数据和指令了。

缓存分为一级缓存和二级缓存：

RAM（Random Access Memory）俗称内存

ROM（Read Only Memory） 只读内存，应用于硬盘存储

静态RAM速度比动态RAM快很多，但现在使用的内存一般都是动态RAM（因为静态RAM集成度相对比较低：存储相同数据量，静态RAM的提及是动态RAM的6倍之多，且价格高），缓存通常使用的是静态RAM，由于静态RAM集成度低，因此便延伸出一级缓存和二级缓存。

一级缓存为静态RAM，

二级缓存为告诉动态RAM（比静态RAM慢，但比常规动态RAM要快）。

速度比较：静态RAM > 动态RAM> ROM；缓存> 内存> 外存。

静态ram成本高，速度快，断电不内容不消失，用作cpu的缓存即cache

动态ram成本低，速度慢，要不断充电，断电内容消失，用作内存

RAM是随机存储器，动态的，比如内存，用来在cpu计算的时候暂时存储计算中间结果，断电就消失。rom是只读存储器，比如主板上的bios，用来存储电脑的设定和启动信息

1、集中式正常读写操作与刷新操作分开进行，刷新集中完成，存在一段停止读写操作的时间。

2、分散式将一个存储系统周期分成两个时间片，分时进行正常读写操作和刷新操作，不存在停止读、写操作的时间，但系统运行速度降低 。

3、异步式每隔一段时间刷新一次，保证在刷新周期内对整个存储器刷新一遍。

动态RAM的工作原理和静态RAM一样，动态RAM也是由许多基本存储元按照行和列来组成的，一般计算机系统使用的随机存取内存(RAM)可分动态随机存取内存(DRAM)与静态随机存取内存(SRAM)两种。

差异在于DRAM需要由存储器控制电路按一定周期对存储器刷新，才能维系数据保存，SRAM的数据则不需要刷新过程，在上电期间，数据不会丢失。

扩展资料

优缺点

经验证，动态存储器是采用超大容量的存储技术，但是，其存储组件要求由处理器控制的刷新周期。它与静态存储器等其它存储技术相比，耗电量相对较高，优点跟其它类型的存储器相比，每兆比特的价格为最低。

应用领域

所有类型的计算机系统、移动电话等移动装置、数据记录设备、打印机、控制系统等。

参考资料来源：百度百科-动态存储器

内存的物理实质是一组或多组具备数据输入输出和数据存储功能的集成电路。内存按存储信息的功能可分为只读存储器ROM（Read

Only

Memory）、可改写的只读存储器EPROM（Erasable

Progrmmable

ROM）和随机存储器RAM（Random

Access

Memory）。ROM中的信息只能被读出，而不能被操作者修改或删除，故一般用于存放固定的程序。EPROM和一般的ROM不同点在于它可以用特殊的装置擦除和重写它的内容，一般用于软件的开发过程。RAM就是我们平常所说的内存，主要用来存放各种现场的输入、输出数据，中间计算结果，以及与外部存储器交换信息。它的存储单元根据具体需要可以读出，也可以写入或改写。一旦关闭电源或发生断电，其中的数据就会丢失。现在的RAM多为MOS型半导体电路，它分为静态和动态两种。静态RAM是靠双稳态触发器来记忆信息的；动态RAM是靠MOS电路中的栅级电容来记忆信息的。由于电容上的电荷会泄漏，需要定时给予补充，所以动态RAM需要设置刷新电路。但动态RAM比静态RAM集成度高、功耗低，从而成本也低，适于作大容量存储器。所以主内存通常采用动态RAM，而高速缓冲存储器（Cache）则使用静态RAM。另外，内存还应用于显卡，声卡及CMOS等设备中，用于充当设备缓存或保存固定的程序及数据。

动态RAM按制造工艺的不同，又可分为动态随机存储器（Dynamic

RAM）、扩展数据输出随机存储器（Extened

Data

Out

RAM）和同步动态随机存储器（Sysnchromized

Dynamic

RAM）。

ram是与CPU直接交换数据的内部存储器，可以随时读写，而且速度很快，通常作为操作系统或其他正在运行中的程序的临时数据存储媒介。以下是由我整理关于什么是ram的内容，希望大家喜欢!

ram的特点

随机存取

所谓“随机存取”，指的是当存储器中的数据被读取或写入时，所需要的时间与这段信息所在的位置或所写入的位置无关。相对的，读取或写入顺序访问(Sequential Access)存储设备中的信息时，其所需要的时间与位置就会有关系。它主要用来存放操作系统、各种应用程序、数据等。

易失性

当电源关闭时RAM不能保留数据。如果需要保存数据，就必须把它们写入一个长期的存储设备中(例如硬盘)。RAM和ROM相比，两者的最大区别是RAM在断电以后保存在上面的数据会自动消失，而ROM不会自动消失，可以长时间断电保存。

对静电敏感

正如其他精细的集成电路，随机存取存储器对环境的静电荷非常敏感。静电会干扰存储器内电容器的电荷，引致数据流失，甚至烧坏电路。故此触碰随机存取存储器前，应先用手触摸金属接地。

访问速度

现代的随机存取存储器几乎是所有访问设备中写入和读取速度最快的，存取延迟和其他涉及机械运作的存储设备相比，也显得微不足道。

需要刷新(再生)

现代的随机存取存储器依赖电容器存储数据。电容器充满电后代表1(二进制)，未充电的代表0。由于电容器或多或少有漏电的情形，若不作特别处理，数据会渐渐随时间流失。刷新是指定期读取电容器的状态，然后按照原来的状态重新为电容器充电，弥补流失了的电荷。需要刷新正好解释了随机存取存储器的易失性。

ram的类别

根据存储单元的工作原理不同， RAM分为静态RAM和动态RAM。

静态随机存储器(SRAM)

静态存储单元是在静态触发器的基础上附加门控管而构成的。因此，它是靠触发器的自保功能存储数据的。

动态随机存储器(DRAM)

动态RAM的存储矩阵由动态MOS存储单元组成。动态MOS存储单元利用MOS管的栅极电容来存储信息，但由于栅极电容的容量很小，而漏电流又不可能绝对等于0，所以电荷保存的时间有限。为了避免存储信息的丢失，必须定时地给电容补充漏掉的电荷。通常把这种操作称为“刷新”或“再生”，因此DRAM内部要有刷新控制电路，其操作也比静态RAM复杂。尽管如此，由于DRAM存储单元的结构能做得非常简单，所用元件少，功耗低，已成为大容量RAM的主流产品。

ram的组成

RAM电路由地址译码器、存储矩阵和读写控制电路三部分组成，如图所示。

存储矩阵由触发器排列而成，每个触发器能存储一位数据(0或1)。通常将每一组存储单元编为一个地址，存放一个“字”;每个字的位数等于这一组单元的数目。存储器的容量以“字数×位数”表示。地址译码器将每个输入的地址代码译成高(或低)电平信号，从存储矩阵中选中一组单元，使之与读写控制电路接通。在读写控制信号的配合下，将数据读出或写入。

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