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本文记录了对一些知识点的理解、操作方法，如有错误，请务必批评指正！！ 最终的测试截图： 目录 一、内部FLASH要点 关于地址： 关于解锁： 关于擦除： 关于写入： 二、读取数据 三、存储数据 四、应用示例 一、内部FLASH要点
下面的读取函数，经多次完善，按字节读取，方便匹配奇数数量的数据读取； /****************************************************************************** * 函 数: System_ReadInteriorFlash * 功 能： 在芯片的内部FLASH里，读取指定长度数据 * 参 数： uint32_t readAddr 数据地址 * uint8_t *pBuffer 读出后存放位置 * uint16_t numToRead 读取的字节数量 * 返回值： 0_成功 1_失败，地址小于FLASH基址 2_失败，地址大于FLASH最大值 ******************************************************************************/ uint8_t System_ReadInteriorFlash (uint32_t readAddr, uint8_t *pBuffer, uint16_t numToRead) { // 获取芯片FLASH大小 uint16_t flashSize = *(uint16_t*)(0x1FFFF7E0); // 读取芯片FLASH大小;本寄存器值为芯片出厂前写入的FLASH大小，只读单位：KByte // 判断地址有效性 if(readAddr < STM32_FLASH_ADDR_BASE) return 1; // 如果读的地址，小于FLASH的最小地址，则退出 if(readAddr > (STM32_FLASH_ADDR_BASE+(flashSize*1024))) return 2; // 如果读的地址，超出FLASH的最大地址，则退出 // 开始复制 while(numToRead--){ *pBuffer = *(__IO uint8_t*)readAddr; pBuffer++; // 指针后移一个数据长度 readAddr++; // 偏移一个数据位 } return 0; // 成功，返回0; } 三、存储数据１：在存储函数前，需要三个数据的定义： // 下面这三个定义，用于存取内部FLASH数据，F103系列都不用修改 #ifdef STM32F10X_HD #define STM32_FLASH_SECTOR_SIZE 2048 // 内部FLASH页大小, 单位：bytes (注：STM32F10xx系列下，小中容量存储器扇区为1K, 大容量存储器扇区为2K） #else #define STM32_FLASH_SECTOR_SIZE 1024 // 内部FLASH页大小, 单位：bytes (注：STM32F10xx系列下，小中容量存储器扇区为1K, 大容量存储器扇区为2K） #endif #define STM32_FLASH_ADDR_BASE 0x08000000 // 芯片内部FLASH基址(这个基本不用修改） static uint8_t sectorbufferTemp[STM32_FLASH_SECTOR_SIZE]; // 开辟一段内存空间，作用：在内部FLASH写入时作数据缓冲２：等待空闲的函数： // 作用：内部FLASH写入时，等待空闲，BSY位标志:0闲1忙 static uint8_t waitForFlashBSY(uint32_t timeOut) { while((FLASH->SR & 0x01) && (timeOut-- != 0x00)) ; // 等待BSY标志空闲 if(timeOut ==0) return 1; // 失败，返回1, 等待超时； return 0; // 正常，返回０ }３：完整可用的存储函数： /****************************************************************************** * 函 数: System_WriteInteriorFlash * 功 能： 在芯片的内部FLASH里，写入指定长度数据 * 参 数： uint32_t writeAddr 写入地址，重要：写入地址必须是偶数！！！ * uint8_t *writeToBuffer * uint16_t numToWrite * * 返回值： 0_成功， * 1_失败，地址范围不正确 * 2_失败，FLASH->SR:BSY忙超时 * 3_失败，擦除超时 ******************************************************************************/ uint8_t System_WriteInteriorFlash(uint32_t writeAddr, uint8_t *writeToBuffer, uint16_t numToWrite) { uint16_t flashSize = *(uint16_t*)(0x1FFFF7E0); // 读取芯片FLASH大小;本寄存器值为芯片出厂前写入的FLASH大小，只读，单位：KByte uint32_t addrOff = writeAddr - STM32_FLASH_ADDR_BASE; // 去掉0x08000000后的实际偏移地址 uint32_t secPos = addrOff / STM32_FLASH_SECTOR_SIZE;; // 扇区地址,即起始地址在第几个扇区 uint16_t secOff = addrOff%STM32_FLASH_SECTOR_SIZE ; // 开始地始偏移字节数: 数据在扇区的第几字节存放 uint16_t secRemain = STM32_FLASH_SECTOR_SIZE - secOff; // 本扇区需要写入的字节数 ,用于判断够不够存放余下的数据 // 判断地址有效性 if(writeAddr < STM32_FLASH_ADDR_BASE) return 1; // 如果读的地址，小于FLASH的最小地址，则退出，返回1_地址失败 if(writeAddr > (STM32_FLASH_ADDR_BASE+(flashSize*1024))) return 1; // 如果读的地址，超出FLASH的最大地址，则退出, 返回1_地址失败 // 0_解锁FLASH FLASH->KEYR = ((uint32_t)0x45670123); FLASH->KEYR = ((uint32_t)0xCDEF89AB); if(numToWrite SR:BSY忙超时 System_ReadInteriorFlash ( secPos*STM32_FLASH_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_ADDR_BASE , sectorbufferTemp, STM32_FLASH_SECTOR_SIZE ); // 读取扇区内容到缓存 // 2_擦险指定页(扇区) if(waitForFlashBSY(0x00888888)) return 2; // 失败，返回:2, 失败原因：FLASH->SR:BSY忙超时 FLASH->CR|= 1CR|= 0x40; // STRT:写1时触发一次擦除运作 if(waitForFlashBSY(0x00888888)) return 2; // 失败，返回:３, 失败原因：擦除超时 FLASH->CR &= ((uint32_t)0x00001FFD); // 关闭页擦除功能 for(uint16_t i=0; iCR |= 0x01CR |= 1 |
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