本掌描述了Tessent MemoryBIST支持的诊断方法，包括每个方法特性和使用指导的描述。

在PASS/FAIL测试中，使用memory BIST嵌入式测试memories，比直接引脚测试方法有很大的便利，但是在大多数情况下，识别memory中的物理失败来源是重要的，这被称为诊断过程。

当涉及到memories的诊断要求时，将会面临一个困难的决定，因为我们感兴趣的是memory的功能模型，而不是memory的物理结果，但是需要根据生产目标和良率目标，将memory BIST诊断能力当作设计的一部分。

依赖于诊断过程的目标，需要采取不同的设计行为。例如，当仅需要识别出失败的memories，不要求分析原因，在这种情况下，选择简单的诊断方法来监视每个memory测试最后的Pass/Fail结果，但是如果目标是使用离线memory修复，需要考虑其他的设计方法来监视memory的测试状态，使测试仪能够追溯到失败的地址和数据位。

根据不同的诊断目标，可以在芯片上实现不同的诊断level：

使用Memory BIST，可以使用不同运行时间选项，并配置特征来实现要求的诊断level，在memory BIST中的诊断属性是基于串行的扫描基诊断。

基于扫描诊断结构如图1所示，这个方法被称为Enhanced Stop-On-Nth-Error，因为memory BIST控制器配置一个error计数寄存器，在每次运行之前，寄存器被初始化。当控制器遇到的错误数等于错误寄存器中指定的错误数时，就会停止，以便所有相关的错误信息都可以从控制器中扫描出来， 通过迭代扫描徐厚的错误计数并运行控制器，最终可以提取所有的位故障数据。

本节描述了可以遵顼的规则，以简化决定使用哪个诊断level以及如何实现该level。

如前面所述，基于诊断目标，可以在芯片上实现各种诊断级别，下面列出的子节中提供了四个诊断级别的示例：

Memory Only diagnosis level的目标是在一组小的memories中识别失败的memory，而不要求分析造成失败的根本原因。在该level中不需要是被失败的地址或BIST时钟周期号，只识别失败的memory，可以通过一下方式实现：

至少对一个memory使用memory repair，在这种情况下，为所有有和没有修复的memory创建一个状态寄存器，或者：

如果以下条件被满足，在memory BIST结束时比较GO_ID：

go_id位（不止一位）总是memory BIST控制器的Setup chain的一部分。因此，如果需要比较go_id位来识别失败的memory，必须保证memory BIST控制器内部的Setup chain是可操作的。换句话说，setup chain可以通过TAP控制器正确的shift in和shift out。