DDR4主要是针对需要高带宽低功耗的场合。这些需求导致了DDR4芯片引入了一些新的特点：它摒弃了上几代内存产品的SSTL电平接口，引用了新的I/O架构POD（Pseudo Open Drain）。这个新的特点，在实际PCB系统的设计中，引入了一些新的设计需求，在后面的一些章节中我们会详细的介绍相关内容。先来看POD输出和上一代DDR3电平接口标准的差异。

在STLL里接收端将信号端接到轨电压的一半（VDD/2），而POD是VDD，如下图

下图为在输出高和低的情况下，DDR4/DDR3的电流流向。当输出为低时，SSTL/POD的都会有电流流过。因为POD是端接到轨电压，而SSTL的端接到轨电压的一半。所以，POD的电流会比SSTL稍大，这个也是为什么DDR4的轨电压选用了一个稍微低一点的电平。

主要的区别在于输出高电平时。SSTL电平将会继续有消耗电流，并且电流大小和输出低电平的时候一致。POD在输出高电平时，没有工作电流。

所以，一个降低DDR4系统功耗的方法是，尽量加大DDR4输出高的数量。这个就是为什么DDR4中多了“DBI管脚”。DBI的全称是Data Bus Inversion数据总线反转/倒置，它与POD电平密不可分，它们也是DDR4区别于DDR3的主要技术突破。

正是由于POD电平的这一特性，DDR4设计了DBI功能。当一个字节里的“0”比特位多于“1”时，可以使能DBI，将整个字节的“0”和“1”反转，这样“1”比“0”多，相比原（反转前）传输信号更省功耗。

举个例子，当8bit lane中有至少有5个DQ都是低时，所有的Bit将会被翻转，并且DBI（Data Bus Inversion）置低，用来指示数据线的反转。通过这个方法，总共9个信号中（8个DQ和1个DBI），总有至少5个是被驱动为高电平。如果原始的数据中有4个或者更多的信号被驱动为高时，那么DBI信号也将会设为高，同样，还是9个里面至少有5个为高。这样的话，在每一个数据传输的过程中，都是至少有5/9的数据是高电平，可以在一定程度上降低了功耗。