12超频讲解：内存时序设置一

◆超频讲解：内存时序设置说明一

华硕RAMPAGE II EXTREME内存参数设置页

DRAM CAS Latency(tCL)：内存CAS Latency是指“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间”，该参数设置对内存带宽影响较大，数值越小内存性能越高，反之越低，内存运行频率越高该参数通常需要设置越大，根据DDR3内存体质不同，保守设置通常是7-9，也可根据自己内存体质设置不同的Cl值。

DRAM RAS to CAS Delay(tRCD)：行寻址到列寻址延迟时间，该参数设置也对内存带宽影响较大，数值越小性能越好，保守设置通常是7-9。

DRAM RAS PRE Time(tRP)：内存行地址控制器预充电时间，该参数设置对内存带宽影响较大，数值数值越小性能越好，保守设置通常是7-9，该数值通常可设置为比DRAM RAS to CAS Delay少1个数值。

DRAM RAS ACT Time(tRAS)：内存行有效至预充电的最短周期，该数值对内存带宽有微弱的影响，保守设置通常为20-24。

DRAM RAS to RAS Delay(tRRD)：行单元到行单元的延时，该数值越小越好，建议设置为5-7。