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一句话提要：用VASPKIT是计算能带结构图最简单的方式，计算结果可以用Origin画图，也可以用Pymatgen画图。本文讲解用Origin画图方法。

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使用VASPKIT 21功能得到的PBAND_.dat文件可以直接用origin画图得到投影能带，PBAND_.dat的文件格式如下：

第一列是k-Path走过的距离，即能带图的横坐标，有几条能带(NBANDS)就会有几套数据。

第二列是能带的能量。

第三列到第九列是，每个轨道在能带上的投影。

最后一列是原子/元素在能带上的投影。（211）是原子的投影，（212）是元素的投影，相当于体系中该元素的所有原子，（213）可以按照自己的需求指定几个原子或几种元素的集合。

这个文件可以直接导入到origin里：

选中前两行画先模型就能得到标准的能带图：

在能带图上找到高对称点的位置，可以通过VASPKIT生成的KLABELS文件中得到，

1.139是M点，1.797是K点，3.113是Gamma点。单位都是埃-1，在origin里添加如下几行，标记出高对称点位置。

也可以通过数line-mode的点的个数标记高对称点的位置，比如KPOINTS的第二行50，代表每两个高对称点之间插入50个点。在origin里每50行就有一个高对称点。

得到能带图效果如下：

在plot setup里可以加入指定的 轨道成分/原子/元素 的投影到能带图上，俗称projected band structure或fat band structure.

选中 Bubble,然后 A 列和 B 列数据作为 x 轴和 y 轴的数据， 最后一列作为元素的权重，点击 add->ok。然后调整bubble点的scaling和颜色即可。

这样即画出满足文章要求的投影能带图。但是想要批量绘制投影能带图用origin就不方便了，这就需要程序化实现能带图绘制了，可以用pymatgen中pymatgen.electronic_structure.plotter的模块实现。

这张图是深入分析能带结构(二)-VASPKIT能带计算 文中计算的MoS2的Mo的投影能带，可见在VBM和CBM处，Mo元素所占权重很大，相应的S占的权重就少。注意这里的能带是没考虑自旋轨道耦合(SOC)的，如果考虑SOC，能带结构会发生改变。

如果想要看在VBM和CBM处的轨道图形，可以用VASP自带的parital charge功能，也可直接运行VASPKIT 511功能得到这两个位置的实空间波函数。

我们需要输入的信息是这两个位置的K点序号和band序号，这两个信息可以从 IBZKPT 文件和 EIGENVAL 文件中读取，从能带图上可以读出这个点正好是 K ，前面有两条线的路径$\Gamma$ -> M -> K，每条线上有20个点（KPOINTS文件的第二行），所以VBM和CBM处在第41个点的位置。Band的序号要根据占据数来读取，EIGENVAL 文件中该点的最高占据能带是13号，最低非占据能带是14号。在运行VASPKIT的时候依次选择 511 -> 41 -> 13 和 511 -> 41 -> 14 即可。

EIGENVAL :

运行VASPKIT：

得到的文件WF_REAL_B0013_K0041.vasp，WF_REAL_B0014_K0041.vasp 拖入VESTA里作图。这里看到CBM主要是横向分布的，而VBM波函数是横向和纵向分布都有的：