不同的芯片操作时序可能不同，读的命令也会有一些差别。

某些Nand Flash内部集成了控制器外设 (Flash Channel Controller (FCC))，具体到读写操作的细节时序（比如CLE/ALE的set up，写脉冲的宽度，数据的建立和保持时间等）由FCC完成，工程师需要做的基本就是设置几个时间参数。 举例说明，比如写命令，只要写个命令到相应寄存器中，CPU内部就会协调各个引脚来发出相应的信号把这些写命令、写地址、等待操作等步骤组合起来，来实现写命令的操作。

如果没有集成FCC，则需要工程师自己来写时序操作。

这里以写命令为例介绍写命令是怎么实现的：

CE（Chip Enable, 片选）Nand Flash，因为选中芯片才能让它工作。 Nand Flash是通过ALE / CLE的电平高低来区分数据线上的数据种类（高电平有效）：

既然数据种类是写命令，则CLE有效（高电平），ALE无效（低电平），如下图的I/Ox Command部分。 并且写给Nand Flash的话肯定有一个写周期（Write Cycle）（需要注意地是，写是在上升沿有效还是下降沿有效。）

数据种类是写命令，即重点关注CLE有效（高电平）期间，ALE此时是低电平（ALE无效）所以可暂时忽略。 CLE为低电平的时期，其他大部分引脚上都是灰色的阴影, 即不需要关心这段时期的这些引脚的电平。

nWE在低电平有效，但并不是说nWE一变成低电平，命令就被锁存了（即真正获得命令），而是在nWE的上升沿时有一个贯穿所有其他引脚时序的竖线，即写入的数据（命令也是数据，只是可以通过CLE有效与否来区分）生效。

txxx是箭头两边所指的两条竖线之间的时间（信号的跳变沿）。 CLE中tCLS与tCLH分别代表CLE set up和CLE hold的时间。 nWE的上升沿有一个最长贯穿其他信号线的竖线，它指示数据（命令也是数据）是在上升沿被锁存的，即写到数据线上的命令数据才真正被锁存（接收），但是CLE信号在nWE上升沿之前就有效了。故，在命令数据被真正锁存之前，CLE有效的那段tCLS时间叫做CLE set up。 nWE上升沿后，命令数据已被锁存（接收），这时CLE可以变为无效了，但并未立刻被变为无效，而是经历tCLH时间之后才结束，则称这段时间为CLE保持时间。

nCE：tCS表示Chip Enable（片选）信号建立时间，tCH表示Chip Enable信号保持时间

I/Ox：tDS表示数据建立时间，tDH表示数据保持时间

既然数据种类是写地址，则ALE有效（高电平），CLE无效（低电平），如下图的I/Ox Command部分。 地址周期通常需要好几个，即一个地址是分几次发送的。

数据种类是写地址，即重点关注ALE有效（高电平）期间，CLE此时是低电平（ALE无效）所以可暂时忽略。

nWE在上升沿，有一个贯穿所有其他引脚时序的竖线，即先写入的数据（数据是地址，只是可以通过ALE有效与否来区分）是上升沿有效。

CLE无效，所以无需关注tCLS

nWE的上升沿有一个最长贯穿其他信号线的竖线，它指示数据（也就是地址）是在上升沿被锁存的，即写到数据线上的地址数据才真正被锁存（接收），但是ALE信号在nWE上升沿之前就有效了。故，在地址数据被真正锁存之前，ALE有效的那段tALS时间叫做ALE set up。 nWE的一个下降沿周期，即一个写周期的时间tWC [write cycle]; 一个下降沿到上升沿，即低电平持续时间，即写脉冲宽度tWP [write pulse]; 一个上升沿到一个下降沿，即高电平持续时间，即tWH [write hold]

nCE：tCS表示Chip Enable（片选）信号建立时间，tCH表示Chip Enable信号保持时间

I/Ox：tDS表示数据建立时间，tDH表示数据保持时间 信号的建立和保持时间都是以数据被锁存为分界点，即nWE的上升沿

TRC: nRE的一个下降沿周期，即一个读周期的时间tRC[read cycle];

TREA: 起始时间到结束时间，指的是从读信号有效到数据被读之间的时间（RE access）

TRHZ: 从RE无效（高电平）到数据线变成高阻态之间的时间（数据线画在中间表示的是高阻态）（RE high to output High Z）

I/Ox信号线的状态，指示了读操作需要哪些单元步骤：

3.1 从对应的R/B是数据线上可以看到时间t内它为低电平，即指示现在CPU处于忙碌状态中，正在处理命令，即定位到1.2中的地址读数据到内部寄存器中，还未准备好数据输出。 3.2 从对应的R/B是数据线上可以看到时间t后它为高电平，即命令已处理完毕，数据被读出。

以上步骤的具体时序，CPU中的Nand Flash Controller会帮我们完成，但前提是我们所需要时间参数已设置完成。

那么，需要设置的时间参数有哪些呢？

命令和地址锁存时的时序

TACLS表示的是CLE/ALE有效到WE变成低电平之间的时间，但WE只有在上升沿才锁存命令/地址。 TWRPH x

TWRPH0代表的是WE的脉冲宽度，即有效时间 TWRPH1代表的是CLE/ALE的保持时间

数据读取和写入的时序

命令和地址锁存时的时序，和，数据读取和写入的时序，需要的时间参数是一样的。 所以，从Nand Flash中找一个命令时序来对照就好了。

可以得到如下的关系： TWRPH0 = tWP TWRPH1 = tCLH TACLS = tCLS - tWP

手册中会对tWP , tCLH , tCLS 还会至少给需要的最小时间 比如Nand Flash是手册中这3个参数要求是: 即， TWRPH0 = tWP >=12ns TWRPH1 = tCLH >=5ns TACLS = tCLS - tWP >=0

怎么看时序图–nand flash的读操作详解