关于模拟CMOS集成电路第二章MOS器件物理基础中的公式推导

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关于模拟CMOS集成电路第二章MOS器件物理基础中的公式推导

2024-07-16 08:37| 来源: 网络整理| 查看: 265

导语:最为书本前面的章节,应该起到承上启下的作用,即让同学们回顾之前学到的知识,并了解将要学习的内容会用到哪些曾经学过的知识。从作用上来讲,应该更有利于同学们学习本书,但是从过来人的亲身体会来看,仍然有不少同学会在这一章卡壳,停滞不前。究其原因,无非是之前的相关课程没学好,比如说半导体物理,半导体器件物理,数字集成电路设计等等。再细一点看的话,应该是学得不够细致,当然,这跟老师的讲课风格有关,有些老师讲课以为学生都懂,有些需要展开来讲的知识点反而被一点带过了……。不管什么原因,现在开始学还来得及,这里特意将一些重要公式进行推导,目的在于让同学们阅读课本时更加流畅。

首先讲第二章的2.2节: **公式一:**阈值电压 模拟集成电路课本原图 《模集》课本上直接“由pn结理论可知…”,而要找到关于公式中这一项的完整来源,需要查看《半导体物理学》(第七版)的第160页、第173页和第175页。 P160关于接触电势差跟费米能级差的关系 P173关于突变结耗尽层电荷量跟耗尽区宽度及掺杂浓度的关系

P175关于突变结势垒宽度 要结合这三处的知识点才能推出耗尽区电荷Q dep的表达式。



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