1.不导通的情况：在漏极和源极之间加上电压 v DS，令栅极和源极之间的电压 v GS=0，此时漏极（D)和源极(S)之间相当于两个PN结背向连接。

2.N沟道增强型：存在 v GS，且 v GS大于某个电压 v GS（th)（必须加入足够高的栅极电压才有导电沟道形成），形成D-S导电沟道，则 i D流通。 随着 v GS增大——导电沟道截面积也增大—— i D 增大

以栅极G-源极S间为输入回路，以漏极D-源极S为输出回路。 第一个点：栅极G和衬底之间有SiO2隔离，加上电压 v GS以后，不会有栅极电流流通，也就是无输入特性曲线。 输入特性：直流电流为0，看进去有一个输入电容CI，对动态有影响。 输出特性： iD = f (VDS) 对应不同的VGS下得一族曲线 。 截止区：VGS 10^9Ω 恒流区： iD 基本上由VGS决定，与VDS 关系不大（虚线右侧） 可变电阻区（虚线左侧）：当VDS 较低（近似为0）， VGS 一定时，V DS / i D为常数，这个电阻受VGS 控制、可变。

1.不导通的情况：令栅极和源极之间的电压 v GS=0，此时不存在导电沟道。 2.导通：在栅极加足够的负电压时，才能把N型衬底的少数载流子——空穴吸引到栅极下面，形成p型的导电沟道。 需要V GS为负值 由这个MOS开关电路来看： v1=0，MOS 管不导通，输出低电平V OL，R D远小于MOS的截止内阻R OFF时，V OL约等于-V DD v1VDD+VDF 后时， D1 导通， 将TI 和T2 的栅极电位钳在VDD+VDF 保证加到C2上的电压不超过VDD+VDF , 而当后v1< -0.7 v 时，D2 导通， 将栅极电位钳在-VDF保证加到C1上的电压也不会超过VDD+VDF。因为多数c M ()S 集成电路使用的VDD不超过18V， 所以加到C1和C2上的电压不会超过允许的耐压极限。 保护范围在-VDF