A1015中文资料参数 |
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A1015中文资料参数
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本译文译自FAIRCHILE公司 东芝 飞利浦的1015特性与之基本相同 命名：2SA1015 如果叫法省略通常的叫法A1015 1015 2SA1015代换型号：2SA608 管脚排列一是样的
A1015三极管 排列引脚图 主要参数：
Symbol符号 Parameter 参数 Value数值 Units单位 VCBO Collector-Base Voltage 集电极-基极电压 -60 V VCEO Collector-Emitter Voltage 集电极-射极电压 -50 V VEBO Emitter-Base Voltage 射极-基极电压 -5 V IC Collector Current 集电极电流 -150 mA IB Base Current 基极电流 -50 mA PC Collector Power Dissipation 耗散功率 400 mW TJ Junction Temperature 结温838电子 125 ℃ TSTG Storage Temperature 贮藏温度 -65 ~ 150 ℃
电参数：
Symbol 符号 Parameter 参数 Test Condition 测试条件 Min 最小 Typ 平均 Max 最大 Units 单位 BVCBO Collector-Base Breakdown Voltage集电极-基极击穿电压 IC= -100μA, IE=0 -50 - - V BVCEO Collector-Emitter Breakdown Voltage集电极-发射极击穿电压 IC= -10mA, IB=0 -50 - - V BVEBO Emitter-Base Breakdown Voltage发射极-基极击穿电压 IE= -10μA, IC=0 -5 - - V ICBO Collector Cut-off Current 集电极截止电流 VCB=60V, IE=0 - - -0.1 μA IEBO Emitter Cut-off Current 射极截止电流 VEB=5V, IC=0 - - -0.1 μA hFE1 hFE2 DC Current Gain直流电流增益 VCE=6V, IC=2mAVCE=6V, IC=150mA 7025 - 400 - VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage集电极-发射极饱和电压 IC=100mA, IB=10mA - -0.1 -0.3 V VBE (sat) Base-Emitter Saturation Voltage 基极-射极饱和电压 IC=100mA, IB=10mA - - -1.1 V fT Current Gain Bandwidth Product 电流增益带宽 VCE=10V, IC=1mA 80 - - MHz Cob Output Capacitance 输出电容 VCB=10V, IE=0, f=1MHz - 4.0 7.0 pF NF Noise Figure 噪声系数 VCE=6V, IC=0.1mA RS=10kΩ, f=1Hz - 0.5 6.0 db
放大倍数：
后缀符号 O Y GR 放大倍数 70-140 120-240 200-400
A1015特性曲线：
静态特性曲线
基极-发射饱和电压曲线 集电极-射极饱和电压曲线
传输特性曲线
输出电容曲线
电流增益带宽曲线
直流电流增益曲线
外形封装图 |
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