用1w碳膜电阻器：r2～r6均选用1／4w碳膜电阻器。 rp选用实心电位器。 c1选用耐压值为l000v的cbb无感电容器；c2、c3和c5均选用耐压值为16v的铝电解电容器；c4选用耐压值为250v的无极性电容器。 vd1～vd3均选用1n4007型硅整流二极管；vd4选用1n4148型硅开关二极管。 vs1和vs2均选用1w、12v稳压二极管。 vlc选用mdc3020型光耦合器。 vt选用耐压值大于600y、电流容量大于4a的双向晶闸管，例如btl36、bt137等型号。 ic1和ic2均选用ne555型时基集成电路。 k选用12v、jqx4f型直流继电器。 km选用触头电流为100a左右的交流接触器。 ta可使用漏电保安器中的穿心式电流互感器代用。

元器件选择 rl选用lw碳膜电阻器;r2-r6均选用1/4w碳膜电阻器。 rp选用实心时位器。 cl选用耐压值为10oov的cbb无感电容器;c2、c3和c5均选用耐压值为16v的铝电解电容器;c4选用耐压值为250v的无极性电容器。 vdl-vd3均选用1n4007型硅整流二极管;vd4选用1n4148型硅开关二极管。 vsl和vs2均选用lw、l2v稳压二极管。 vlc选用mdc3020型光耦合器。 vt选用耐压值大于600v、电流容量大于4a的双向晶闸管，例如bt136、bt137等型号。 icl和ic2均选用ne555型时基集成电路。 k选用l2v、jqx-4f型直流继电器。 km选用触头电流为1ooa左右的交流接触器。 ta可使用漏电保安器中的穿心式电流互感器代用。