光伏中

ctm

是什么意思？

CTM

值又是什么意思？电池片封装

损失与元件封装损耗各指什么？

光伏中

ctm

是什么意思？

CTM

值又是什么意思？电池片封装损失与

元件封装损耗各指什么？

通常我们使用元件输出功率与电池片功率总和的百分比

(Cell 

To 

Module

简称

CTM

值

)

表示元件功率损失的程度，

CTM

值越高表示元

件封装功率损失的程度越小。

影响

CTM

的因素很多，包括：

A.

光学损耗：制绒绒面不同引起的光学反射、玻璃和

EVA

等引起

的反射损失。

B.

电阻损耗，电池片本身的串联电阻损耗、焊带，汇流条本身的

电阻引起的损耗，焊带不良导致的接触电阻、接线盒的电阻。

C.

不同电流的电池片串联时引起的电流失配损失，由于组成元件

的各电池片最大工作点电流不匹配造成的失配损失

(

分档，低效片混入

)

。

D.

热损耗，元件温度升高会引起的输出功率下降。

E.B-O

复合引起的电池片效率衰减，与本征衰退损失。

F.

元件生产过程中产生隐裂或碎片。

影响单晶和多晶元件

CTM

差异的因素主要包括

2

个方面，光学损

耗和硼氧复合损耗。

光学损耗产生的差异主要为单多晶电池产品的制绒工艺是不同的，

反射率的差异性比较大

;B-O

复合损耗的差异为单多晶原料片生长工艺

不同，单晶原料过程中引入的硼氧对要多于多晶原料。

本文设计实验主要针对以上两点进行实验设计，分析造成单多晶

元件

CTM

差异性的原因。

如果

CTM

值较低，元件的输出功率有可能达不到预期的要求，遭

到客户的投诉，最终造成经济效益的损失。

与此相反，如果可以提高

CTM

值，元件的输出功率的增加会提高

公司元件产品的收益，已达到降低生产成本的目的。

在元件产品的生产过程中发现单晶元件和多晶元件的

CTM

差别比