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随着科技的快速发展，电子市场进入蓬勃发展的快车道，由此带动了对半导体产业的需求量。但在市场的需求量高过芯片的生产速度的情况下，由于市场供不应求造成了全球的芯片紧缺。

我国的半导体产业本身就起步晚，因此在芯片生产技术和制造芯片所需的光刻设备上，比起国际先进水平还有很大的追赶空间。而在“瓦纳森协议”的限制和“芯片规则”被不断修改的情况下，ASML无法对我国自由出货EVU光刻机，我国芯片紧缺的局面更甚。

ASML（ASML Holding N.V阿斯麦尔）作为全球最大的半导体设备制造商，向全球复杂集成电路生产企业提供领先的综合性关键设备。

ASML的光刻设备占全球光刻市场80%以上的份额，诸多半导体巨头企业，如台积电、英特尔、三星电子、中芯国际以及海力士等，都向其订购光刻设备。

目前阿斯麦尔在市场上的主力设备为ArF和KrF激光光源光刻机，最先进的是基于极紫外光源研发的EUV光刻机。

二者最大的不同在于光源的波长，ArF光刻机的波长为193nm，而EUV光刻机的波长为13.5nm。根据光刻机的研发进程，波长越短分辨率就越高，刻写精度也就越细致。要减小分辨率数值，除了可以减小光源的波长之外还可以通过增大透镜的数值孔径来达到。

随着生产技术越发先进，设备也越来越精密，对于芯片制程的要求就越来越高。普通的制造设备只需要用到ArF光刻机，而像手机之类的设备则至少要使用7nm制程的芯片，这就需要用到EUV光刻机。

阿斯麦尔虽然是荷兰企业，但光刻机的研发和供应链特殊，根据阿斯麦尔高管介绍，阿斯麦尔光刻设备85%的零部件是和供应链共同研发的。此外，制造一台光刻机所需的关键零部件就多达10万个以上。ASML自己的技术占比还不到20%。

光刻机生产不可避免地使用到了美方的一部分技术和零部件，因此ASML在技术受限下，无法对我国自由出货光刻机。

为了缓解我国芯片紧缺的局面，中芯国际曾耗资10亿人民币向ASML订购一台EUV光刻机，但如今已经是第四个年头了，这台光刻机仍然无法在我国落地。

但在近日，国产光刻机传来了一则好消息。根据中国国际招标网信息显示，北京国望光学科技有限公司发布了国际公开竞争性招标，拟采购 2 台五轴联动立式加工中心，开标时间为 2022 年 5 月 26 日。

为了解决我国芯片被“卡脖子”的难题，实现光刻设备国产化，国王光学在中科院的支持下引入了长春光学精密机械与物理研究所，以及上海光学精密机械研究所，共同推动国产光刻机核心部件生产。

而此后，国望光学也不负众望，成功研发出90nm节点的ArF投影光刻机曝光光学系统，随后又攻克了28nm节点ArF浸没式光刻曝光学系统。这标志着我国完全拥有自主知识产权的高端光刻机曝光光学系统。

为了建立我国自主的超精密光学产业技术研发与生产体系，从根本上解决我国高端精密光学装备的产业化问题，国望光学建成了光刻机曝光系统生产基地，研发团队则是来自国内唯一一家超精密光学系统产业化技术研发单位长春国科精密。

如今该生产基地项目已相继走过基建与洁净工程节点，即将进入设备安装调试阶段。基地面积总共为 12 万平方米，预计在 2023 年正式投产。该基地将用来进行大规模 IC 制造投影光刻机曝光光学系统产品的设计研发，以及批量生产90nm、28nm 及以下节点芯片。

很多人可能会觉得奇怪，28nm制程并不是目前最先进的工艺，为什么我们要对这个节点投入这么多呢。事实上，目前半导体市场最紧缺的还是28nm芯片，7nm制程以下芯片基本是智能手机一类的电子设备才会用到。

从半导体市场的数据统计来看，28nm以上的制程占市场总额的70%以上，再看看现在的一些国际大厂，如台积电和中芯国际，也都在扩建28nm节点的产能。从这就能看得出来，市场对28nm制程的需求量还是很广阔的。

尤其是目前智能汽车造车领域正处于上风口，对28nm制程芯片的需求正是强劲的时候，所以说，28nm芯片前景光明。

从技术节点来说，28nm制程也是一个分水岭，ASML和尼康等国际大厂的ARFi光刻机都只能做到38nm，跨过28nm，下一步我们便可以朝着7nm制程进发。

如今我们的28nm制程生产技术已经成熟，7nm制程工艺也已经攻破，即将进入风险试产，届时我们自研的光学曝光系统和光刻设备齐全，那么我们的芯片国产化也就指日可待了。

对于我国要自研光刻机，ASML的高层领导人还曾轻蔑地表示：即使把光刻机的设计图纸给你们，你们也造不出来，而现在这个局面想必ASML也没想到。

如今我国已经成为全球最大的半导体市场，ASML无法对我国出货，无疑是失去了一个庞大的消费市场。对于我国自研光刻设备，大家有什么想法，欢迎在评论区留下您的想法。

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