SI2300 SOT-23参数和中文资料 - 场效应MOS管 - 壹芯微

SI2300（N沟道增强型场效应晶体管）

品牌：壹芯微|类型：场效应管|封装：SOT-23|批号：21+|备注：全新国产 优质现货 质量放心 高性价比

增强型MOS(EMOS)场效应管根据图，N沟道增强型MOSFET基本上是一种左右对称的拓扑结构，它是在P型半导体上生成一层SiO2 薄膜绝缘层，然后用光刻工艺扩散两个高掺杂的N型区，从N型区引出电极，一个是漏极D，一个是源极S。在源极和漏极之间的绝缘层上镀一层金属铝作为栅极G。P型半导体称为衬底，用符号B表示。

工作原理

沟道形成原理

当VGS=0 V时，漏源之间相当两个背靠背的二极管，在D、S之间加上电压不会在D、S间形成电流。当栅极加有电压时，若0＜VGS＜VGS(th)时，通过栅极和衬底间的电容作用，将靠近栅极下方的P型半导体中的空穴向下方排斥，出现了一薄层负离子的耗尽层。耗尽层中的少子将向表层运动，但数量有限，不足以形成沟道，所以仍然不足以形成漏极电流ID。

壹芯微——优质国产功率半导体品牌，主要生产各式二极管、三极管、Mos管、晶体管、桥堆等电子器件 产品均通过欧盟各大管理体系认证，高质量，高标准，型号齐全，研发技术与芯片源自台湾，完美替代进口品牌，页面右侧可选择销售业务或工程师立即咨询