本篇文章可能存在海量错误，因为内容全部是我的理解。我感觉我已经在”思而不学“的路上走的太远了.....

这次说说三代锐龙的4个墙，分别是温度，PPT（插槽总功耗），TDC（持续电流），EDC（峰值电流）。如果广义一点，可以把XFR上限也当作墙，本篇文章不讨论这个。

之前说过，只有一个温度墙是不够的，因为温度传感器不可能无处不在。某处的瞬间高温要等一小段时间才能传递到传感器那里，响应缓慢，严重可能造成烧毁或缩缸。所以一般芯片都有功耗墙，例如显卡的TDP墙，锐龙则有PPT的限制。

说到显卡，以N卡为例，显卡的墙有 电压墙（即不撞墙，电压已经在频率--电压曲线的最右端），功耗墙，温度墙（同样，温度对频率的影响是一直都有，不一定要等撞墙才降频），空载墙（严重占用率不足时显卡会跑不满频率，这是为了节能），SLI同步墙（两个显卡必须频率近似才能保证SLI效率足够高）。可以看到显卡没有电流墙，至少在传感器里找不到，究竟有没有只能问工程师了。

所以我就在想，为什么锐龙要设计电流墙呢，而且有两个。intel turbo算法里也有电流限制。有功耗限制了，为什么还需要电流限制？

说实话这个问题我都不知道怎么查资料，这里只能说说我自己的理解。

首先给出一个芯片功耗的近似公式，P=ACfU2，2表示U的平方。P是功耗，A是一个系数，我称为负载系数，表示某软件占用了多少电路，C是等效电容系数，和工艺有关，f是工作频率，U是工作电压。

假设功耗墙是PPT1。跑一个轻负载，例如R20，撞了PPT1，频率是f1，电压是U1，此时功耗自然是墙本身PPT1。负载系数为A1。

那么此时变成重负载，例如烤FPU。A2＞A1，为了保持PPT1不能变，即PPT2=PPT1，f和U必须降低。f2＜f1，u2＜u1。这就是重负载比轻负载频率低的原因之一。

再看另一个公式，P=UI。P是功耗，U是电压，I是电流。在功耗P（PPT）不变的情况下，重负载U降低了，I必然升高。影响整个电路发热的其实就是电流，所以 TDC（散热限制的电流墙，持续电流墙）应该就是为了防止 重负载时电流过高的。

所以功耗不变，温度不一定不变，事实也是如此。温度多高取决于电流多大。另一方面，高电流也会让VRM（供电模块）更热，TDC的存在意义之一应该是保护VRM。

那么EDC是干什么用的呢？这部分可能错的更离谱。

我的理解是，对于撞墙状态，在每个频率变动的周期（zen2是个位数ms，具体多少我忘了），SMU会尝试提高频率。例如P95烤机时全核40x倍频，SMU会尝试提高频率到40.25x，但是立即会恢复，因为全核（或任何一个核心）再提高频率，就突破TDC了。这种动态平衡类似化学反应的平衡状态。

那么对于此时，40x表现出的电流就是TDC值，40.25x表现出的电流就是EDC值，因为后者只有一瞬间，符合峰值电流的字面定义。

假设现在没有PPT和TDC，只有EDC，全核40.25x时会撞EDC，那么频率就会保持在40x。（忘记说了，zen+和zen2的提频单位是0.25x，zen好像是1x）。

也就是说EDC的作用是防止precision boost算法造成大电流，超过主板和CPU的电气性能，导致不稳定。这也是EDC的名字由来，Electrical Design Current。

左侧展示的是默认和当前的三个墙的值。可以看到默认的EDC比TDC高。PBO解开之后则两个值就变得很大，可以认为这两个墙不存在了。

右侧可以看到此时撞了PPT墙，EDC值比TDC值大，这也符合我的理论。

可以看到此时TDC和EDC大概差8安培左右，这可以理解为8个核心尝试提频0.25x时的电流差值。那么对于核心更多的U，这个差值必然会更高。例如我看某篇3900x的评测，默认状态烤机是撞的EDC，而不是TDC。

PPT TDC EDC三个墙是有主板限制值的。你手动填写的值超过主板限制值，会被强制拉回主板限制值。如果主板给你把这些值开放的很高，一般认为这些值不会造成稳定性问题。例如我的X470只开放了TDC和EDC，PPT是不能再拉高的，也就说明主板对电流大小没有要求，只对功耗有要求，这取决于供电能力。

在我这里，3800x跑满142w，散热用的是300元的T610P，室温22度左右，CPU温度大概有88度左右。这个温度在我看来已经不算太合格了，还好日常使用时温度不会达到P95烤机这么高。

我目前的经验是只有X570，而且是不能太低端的，才能打开三代锐龙的PPT限制。我这个散热条件，打开PPT限制其实也没太大用，温度会上到90以上，接近95度温度墙，然后频率稍微再提高一点点。

所以如果你买X570的目的只是为了解开PPT达到更高性能，那么你买的散热器必须非常好，想拉开差距的话，我估计要顶级360一体水或大流量分体水。

上面也说了，只有温度墙的话，存在潜在的安全隐患，尤其是把PBO scalar拉高的时候，因为这样高电压高频率的持续时间会更长，频率本身也更高，电流和热量会更高。但是毕竟锐龙存在潜在的电压墙（类似显卡电压墙。agesa1003abba是1.5v，1004b是1.494v），在这个电压下的短时间高功耗高温度似乎没有太大问题。AMD和板厂开放了这种选项，可以理解为相对安全，但是使用PBO也会失去质保，说明或许有那么一些体质非常辣鸡的U会出现问题。

所以如果有时间的话，可以根据自己使用的散热条件和负载条件，手动优化这三个值。假设你的主板可以解开PPT TDC EDC墙，即打开PBO之后这三个值远高于默认值。

首先打开PBO，三个limit全部解开，PBO scalar手动设置为1X，这种设置方法就是只解开墙，不对XFR做增幅。打开hwinfo，轮询周期设置为500ms，下面的disk和emb可以设置为4x。跑P95 small ffts，30分钟以上。整个过程需要频繁跑P95，如果觉得麻烦，可以全程FPU代替，每次跑个15分钟就OK了，只是严谨性会差一些。P95的压力是变化的，FPU是恒定的，变化的负载压力才能让PPT和TDC的差别体现出来。所以能P95尽量P95。

用hwinfo抓CPU温度，PPT，TDC，EDC的最高值。有能力的话建议监控一下主板整个供电模块的温度。

核心最高温度会很高，我不建议这样使用，对核心寿命有影响，所以需要调校。降温的方法就是降低PPT或TDC。建议以TDC为主。从TDC最高值开始逐步降低TDC给TDC墙，观察烤机时最高温度的变化。直到温度符合你的要求，我个人建议是90度以下，大概85-88度这种是相对好的。把该TDC值赋值给TDC墙。再把刚刚抓到的PPT和EDC最高值稍微降低一点，可以是2W和2A这种数字，赋值给PPT和EDC墙。最后把PBO scalar拉到10X，设置完成。

其中逐步调整TDC这个过程可以通过ryzen master进行，每次都进bios好麻烦。最后定型之前先给ryzen master恢复默认，这可能需要重启，然后进bios恢复默认，再保存重启。最后进入bios进行最终的设置。这样做是防止之前的参数影响到最后设置结果。

这种设置方法适用于3900X和以上的U，包括线程撕裂者。因为这些核心太多的U，跑重负载的电流和功耗太高，不加以限制的话，长时间跑负载可能造成一些寿命和稳定性问题，尤其是解开三个墙之后的核心温度，超过90度，你用来跑负载能放心么？对于3800X及以下的U，按照我之前 抄作业 那篇教程设置就好（PBO可以在华硕BIOS ai tweaker下找到，不一定非得去AMD overclocking，区别仅仅是前者在F10之后的改动中可以看到，后者看不到而已，具体可以看我昨天发的动态），即直接解开所有墙，PBO scalar拉满。如果觉得温度太高可以直接降低PPT值实现，方法与上面的方法类似。

如果对默认性能满意，则根本不需要折腾PBO，直接默认使用即可，非常省事。AMD默认的参数优化就很不错了。

另外，PBO是可以降低性能的。例如你对跑负载时的CPU风扇噪音有要求，则可以通过手动降低PPT或者TDC的值，并手动调整风扇曲线，实现相对低的温度，这样风扇噪音就可以降低一些。总而言之，PBO具有丰富的可玩性。

最后再强调一遍。本篇文章可能存在海量错误，包括上面的设置方法。我说这些如果能启发到你，让你有更好的设置思路，那就最好了。我不希望有人盲目抄我的方法，因为我自己没有那么多核心的U，我自己都没测过，这方法只是我初步给出的方案，或许我能摸到U的话，通过简单测试就把这个方案否定了....

补充一点，上面说的P=UI的P不变仅仅针对撞了功耗墙的情况。手动超频是没有功耗墙的，所以固定频率，降低电压时，功耗会下降，电流也会下降。所以降压缩缸这类说法我并不认同。至少我的理论不是拿来解释降压缩缸的。