综述：二维过渡金属硫化物在FET中的载流子迁移率 |
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综述：二维过渡金属硫化物在FET中的载流子迁移率
 表 1 二维材料系[ 1, 9, 20，29, 42, 66 – 70 ] 图 1 液相剥离过程中的变化示意图: a) 嵌入层， b)离子交换，c)超声剥离，d) CVD过程示意图，e) 通过浸渍退火技术合成大面积的MoS2纳米片示意图 图 2 理想化的N-轨道结合FET 图 3 FET树状图 图 4 a-c )单层MoS2晶体管的制备工艺, d-e) 单层MoS2晶体管的闸门压控制 图 5 a)有效的空穴迁移率作为一个栅过驱动功能 , b) p型单层WSe2装置的输出特性
图 6 a) 电子迁移率为介电常数函数，虚线表明流动性没有考虑SO声子，b) 临界杂质密度Ncr，c) 被不同电介质包围的单层MoS2的室温电子迁移率，d) 考虑各种散射机理的单层MoS2的室温网电子迁移作为杂质密度的函数（N）
图 7 a) 一种基于异质结构的MoS2场效应管、h-BN和石墨烯，b) 通过垂直堆叠二硫化钼（N型）和WSe2（P型）而制备的P–N结
图 8 单层2维TMDC材料的电荷载流子迁移率理论 长按二维码阅读全文
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