此系列为王道计算机考研组成原理精细笔记

  这个小节当中，我们会介绍两种特定类型的存储芯片。一种叫SRAM一种叫DRAM。

  之前，我们提到过RAM它指的是随机访问存储器，意思就是说，当我们指定某一个存储单元的地址的时候，这个存储单元的读取速度并不会因为存储单元的物理位置而改变。

  其中DRAM这个D的是dynamic 就是动态的意思,SRAM的S指的是static，就是静态的意思。

  DRAM和SRAM芯片的核心区别：存储元不一样

  我们的DRAM芯片是用栅极电容，用这种电容的充放电来存储和读取信息的。SRAM芯片是用双稳态触发器来存储信息。

  有关触发器的知识可以参考数电模电的书籍

  关于DRAM芯片的知识可以参考上一节

  关于SRAM值得我们注意的是：它为什么叫双稳态的触发器呢？

因为这种触发器这个存储元，它可以呈现出两种稳定的状态。第一种稳态就是A这个点是高电平，B这个点是低电平,那么当呈现出这种状态的时候,我们规定这种状态对应二进制的1，而如果说A是低电平 而B是高电平 那么我们就规定这种状态对应二进制的0，所以用这个触发器的两种稳定的状态 我们就可以记录此时存储的是二进制的1还是0

另一方面

  上面，我们提到过：DRAM和SRAM芯片的核心区别：存储元不一样

  读出数据的时候，对于这种栅极电容来说，如果它存储的是一个二进制的1那么就意味着这个电容上面会存储一些电荷，而我们接通MOS管把这个二进制的1读出的过程，其实就**意味着我们需要把这些电容里边存储的这些电荷给释放掉。**就是要给电容放电。

  这个电容放电之后，就会导致它所表示的信息由1变为了0，因此，当我们读出这种栅极电容里边存储的信息之后，其实这个栅极电容里边存储的信息是被我们破坏掉了。

如果我们采用双稳态触发器的话，那么既然它叫稳态，那么就意味着当我们读出数据之后，这个触发器的状态依然是保持稳定的，也就是说：对于双稳态触发器的读操作是非破坏性的读出。

总结：

栅极电容 它里边只需要一个电容和一个MOS管，体积小，成本低，集成度高，功耗低。

双稳态触发器 总共需要六个MOS管，体积大，成本高，集成度低，功耗高。

另外一点：

  由于DRAM芯片采用了这种栅极电容来存储电荷电容，里边虽然可以存储电荷，但是这个电荷有可能会慢慢的流失。 也就说，不管它的话，那么这个电容里边存储的这些电荷，过一段时间之后就会消失，那这样的话就会导致电容里边存储的信息会出现误差。由1又变为了0。通常存储器里采用的这种电容，它的电荷只能维持两毫秒的时间。

  双稳态处发器的话，只要我们给这个触发不断的供电，就比如说一直供一个五伏的电，无论过多久，那么只要不断电这个处发器的状态，就不会发生改变，也就是保存的0和1是不会消失的。

  由于电容里的电荷只能存储两毫秒，因此在两毫秒之内我们必须给这个电容刷新一次，也就是给电容充电

电容多久刷新一次：2ms

每次需要刷新多少个存储单元? 这儿我们说的是存储单元,每个存储单元会由多个存储元构成。 我们每次刷新存储单元的个数，是以行为单位来计算的，每次刷新一行。

只要我们给出一个行地址，那么行地址译码器就会选中一整行的这个存储单元。我们每一次的刷新操作就会刷新一整行，那怎么刷新呢？ 答：会有一个专门的刷新电路来支持，刷新电路会直接读出一整行的存储单元的信息 然后重新写入。

  我们刷新一整行，其实本质上就是做了一次读操作，所以它的耗时和我们的一个读写周期的耗时差不多。

送行地址和列地址SRAM是同时送的,而DRAM是分两次送的。

  DRAM的地址线是采用了复用技术，也就是和地址所对应的引脚数目应该是要减半的。

  下一节是只读存储器ROM，期待大家和我交流，留言或者私信，一起学习，一起进步！