IRF640场效应管参数 IRF640引脚图和代换型号 |
您所在的位置:网站首页 › 9n90c场效应管引脚 › IRF640场效应管参数 IRF640引脚图和代换型号 |
IRF640是一款通用型N沟道MOS场效应管,其具有高电导率、低漏电流和快速开关速度等特性,广泛应用于各种功率放大电路中。本文将从IRF640场效应管的参数、引脚图和代换型号三个方面详细介绍这款场效应管。 1. IRF640场效应管参数以下是IRF640场效应管的主要参数: 额定电流:18A 最大漏极-源极电压:200V 漏极-源极静态电阻:0.077Ω 峰值反向击穿电压:500V 门极-源极电容:1500pF 工作温度范围:-55℃至+175℃IRF640场效应管具有很低的漏电流和很高的导电能力,因此在各种功率放大电路中都具有广泛的应用。同时,它的峰值反向击穿电压也相对较高,可以保证其在高压环境下的正常工作。 2. IRF640引脚图和代换型号以下是IRF640场效应管的引脚图和代换型号: IRF640场效应管的引脚图中共有三个引脚,分别为漏极、源极和门极。其中,漏极连接输出端,源极连接地或负电源,而门极用于输入控制信号。 除了IRF640本身,市面上还有很多代换型号可以替代它进行相似的功率放大工作。例如: STP18NM50FP FQPF18N50V2 IRFP250NPBF这些代换型号的参数与IRF640场效应管类似,都是通用型N沟道MOS场效应管,因此在实际功率放大电路中也可以使用它们来替代IRF640。但需要注意的是,每种场效应管的性能略有不同,在具体应用时需要根据实际情况选择合适的型号。 综上所述,IRF640场效应管是一款常用的通用型N沟道MOS场效应管,具有高导电能力、低漏电流和快速开关速度等特性,在各种功率放大电路中广泛应用。在实际使用中,还需要结合其引脚图和代换型号等信息,才能更好地发挥其功效。 |
CopyRight 2018-2019 办公设备维修网 版权所有 豫ICP备15022753号-3 |