型号：Hi8000

特性

    宽输入电压：2.7-40V     2.5V 启动     高效率：最高可达 95%     逐周期限流保护     可编程的软启动     内置过温保护     内置过压保护     支持 PWM，PFM 以及 BURST 工作模式     内置 40V LDO 供电     支持低功耗关机模式     关机电流小于 2uA     可设定工作频率     恒压精度≤±3%     封装： ESSOP10

应用领域：

    移动设备供电     太阳能     音频功放模块供电     锂电升压应用

Hi8000 是一款外围电路简单的 BOOST 升压恒压控制驱动芯片，适用于 2.7-40V 输入电压范围的升压恒压电源应用领域，启动电压低至 2.5V。  芯片会根据负载的大小自动切换 PWM，PFM 和BURST 模式以提高各个负载端的电源系统效率。 本芯片可以通过 EN 脚实现低待机关机功能，当 EN 脚接 VIN 的时候，系统正常工作，当 EN 脚位被拉低，系统关机，此时流入芯片内部的电流小于 2uA，进入低功耗待机模式。  此外芯片还可以通过 ROSC 脚设置系统开关频率，当ROSC 悬空，开关频率为 130KHz，当 ROSC 拉高, 开关频率为 260KHz，如果需要别的开关频率，可以在ROSC 上对地加电阻实现。  芯片支持软启动功能，调节 SS 端口的电容大小，可以改变软启动的时间。  芯片支持逐周期的限流保护，输出过压保护以及过温保护，当保护机制被触发时，芯片会及时关闭 GATE的输出，有效保护电源系统以及输出负载。 

一个好的 PCB 设计能够最大程度地提高系统的稳定性、终端产品的量产良率。为了提高 Hi8000 PCB 的设计水准，请尽可能遵循以下布局布线规则： 

1.电感、NMOS 管的 Drain 端与续流二极管 D1、D2 的布线覆铜尽可能长度短、线宽大；              2．Q1 Source 端与 CS 电阻的布线覆铜，CS 电阻靠近 CS 与 GND 管脚；  3．芯片 FB 管脚要远离功率电感、NMOS 管、续流二极管，避免受到干扰； 4．分压电阻 R8、R9 靠近芯片的 FB 和 GND 脚；  5．输入电容、输出电容与 CS 电阻的地覆铜走线，下层地多打过孔连接；  6．芯片的 VDD 电容靠近 VDD 与 GND 管脚布局，达到稳压和滤波的效果；                                7．输出电容的地一定要靠近 CS 电阻、可以降低开关切换尖冲和输出高频杂波；                          8．板子多余空间建议铺地；