DDR存储器是一种双倍数据率（Double Data Rate）的随机存储器（RAM），它需要在一定的电压范围内工作。

以南亚（NANYA）NT5AD256M16D4型DDR4为例，

VPP是DDR内存中的一个电压引脚，它用于编程和擦除内存中的数据。

VDD和VDDQ是DDR内存的电源引脚，它们提供内存所需的电源电压。

在DDR内存中，VPP必须始终大于或等于VDD&VDDQ，这是因为VPP用于编程和擦除DDR存储芯片内存（非易失性存储器，如EEPROM和闪存等）中的数据。VPP通常用于在编程或擦除期间提供高电压，以改变存储器芯片的状态。如果VPP电压低于VDD&VDDQ，则无法正确编程或擦除存储器，可能会导致存储器错误或损坏。

另外，VPP电压不能晚于VDD&VDDQ上电，这是因为在上电时，VDD&VDDQ电压会先上升到正常工作电压，而VPP电压上升的速度可能会比VDD&VDDQ慢，如果VPP电压晚于VDD&VDDQ上电，就会导致内存无法正常工作。

因此，为了保证DDR内存的正常工作，VPP必须始终大于或等于VDD&VDDQ，并且不能晚于VDD&VDDQ上电。