长期以来，国产芯片发展受到了在该领域一路领先国家的垄断，长期受制于日韩，美国等芯片大国。今年，白宫方面更是发布一系列制裁条令，让华为的芯片行业再次受挫。华为总裁余承东此前更是表示，目前发售的mate40搭载的麒麟芯片将是最后一代国产芯片。可以看出，我国芯片行业均需要进口组装，若能打破垄断完全实现自产自造控制开发，国产芯片才会有本土产业链，不受制于人。近日，我国芯片巨头中芯国际传来消息，中国7nm芯片正在和世界缩小差距，14nm的芯片工艺更是实现大步迈进式发展。

据了解，中芯国际正向掌握7 nm工艺的第三家中国代工厂商迈进，将会出现跟上工艺水平的芯片，与此同时，与全球知名芯片代工厂商台积电的技术差距也将缩小。据管理部门透露，目前中芯国际14nm工艺芯片良品率已经达到行业标准，这意味着其生产的芯片良品率已经达到95%。迄今为止，14 nm工艺是芯片制造领域的一个分水岭，掌握14 nm工艺节点的只有台湾台积电、美国英特尔、韩国三星。中芯国际的14纳米工艺良品率已经达到了业界的生产水平，在全球代工厂的规模上仅次于台积电。不过，正如公司管理层在业绩会上提到的，即使今年的研发任务已经基本完成，但仍有许多差距和道路要走。

中芯国际是目前世界上拥有14 nm工艺节点的6家厂家之一，也是中国大陆具有成熟工艺制程，率先突破并唯一拥有14nm产能的专业晶圆代工厂商。与之相比，在7 nm制程的竞争中，目前世界上能够提供7 nm制程替代产品的厂商只有三星和台积电。在这些因素中，台积电在先进制造领域无疑保持着技术领先的优势。现在台积电和三星都能量产5nm芯片，但是三星的良品率并不高。此外，台积电的4 nm芯片预计将于2021年开始正式量产，3nm将于2021年大量试产，而2 nm芯片预计在2024年量产。

在7 nm以下芯片生产中， EUV光刻机是不可缺少的设备，台积电已经向 ASML确认了2020年到2021年的订单，目前台积电是光刻设备的最大买家，三星和英特尔紧随其后。当前，为了实现技术突破，中芯国际正在实施 N+1、 N+2工艺战略，以赶超7纳米制程工艺。其中， N+1工艺已进入客户导入产品认证阶段，已小批量试生产，相对于14 nm性能可提升20%，主要面向低能耗应用领域。这一工艺在格芯的12纳米和联电的14纳米方面领先于其他公司。

此后，中芯国际也将在2021年推出N+2，以满足高性能应用的需求。中芯国际在目前的环境下， N+1和 N+2代工艺都不会采用 EUV工艺，直到设备准备就绪， N+2后的工艺才会采用 EUV光刻工艺。国内芯片行业的发展潜力完全是被激发的，要想实现自己的产业链发展成熟，中国芯片的任务任重而道远。