场效应管的输出特性曲线及转移特性曲线记忆

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场效应管的输出特性曲线及转移特性曲线记忆

2023-12-29 10:29| 来源: 网络整理| 查看: 265

记忆是学习的基础,如何记忆知识我们还是要研究的,场效应管一共有6种,其特性曲线还是很复杂的,要记忆也要花费很多精力,如下:

太多了,将它们画到一个图中吧:

*上2图为转载

这个要好多了,但是还是有些乱,我们要求能够1)根据曲线我们要能够判断管子的类型,或2)根据管子的类型我们能够画出其特性曲线的示意图。

一般我们要确定3个问题:

1)导电沟道的类型(P沟道,N沟道)?

2)增强型还是耗尽型?

3)结型还是MOS型(绝缘栅型)?

我们来归纳一下特点:

1.两个曲线都是关于原点对称的(意味着6种场效应管记忆一半即可)

2.上半部分都是N沟道的,下部分都是P沟道的(屁股在下面)

3.转移特性曲线中输入为0而输出不为0的是耗尽型的(结型也是耗尽型反之为增强型的),结型场效应管转移特性曲线只占一个象限。

无输入有输出为耗尽型(结型,耗尽型MOS管),反之为增强型

4.输出特性曲线中输入可正可负是耗尽型MOS管,在第1象限只为负(第3象限只为正)为结型的,在第1象限只为正(第3象限只为负)为增强型MOS管.

输入可为0的是耗尽型(结型,耗尽型MOS管),还可以为正为负的是耗尽型MOS管;只为正或负为增强型MOS管

现在轻松了些没?

PS:以下已加删除线,不要看

珠玉在前啊!看拉扎维的:

off区就是截止区

saturation就是饱和区,也就是我们常说的恒流区

triode的就是三极管区,也就是可变电阻区

ps:补一个东南大学吴金的:

 佩服!

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N沟道的栅源电压一定要高于Ugs(th)---P沟道的栅极电压一定要小于Ugs(th)

栅源电压和箭头方法一般相反(耗尽型MOS可相同)

只有反向电压才可以控制PN结(耗尽区),影响导电效果

预夹断电压Uds_dr=Ugs-Ugs(th)

栅源之间一般加反向电压才有控制作用

认为反型层的自由电荷主要来自于源极可能更有利于理解和记忆

栅极在源漏中间

N沟道Ugs>Ugs(off)Ugd恒流区Ugd>Ugs(off)--->可变电阻区Ugs截止P沟道Ugs>Ugs(off)------>截止UgsUgs(off)--->恒流区

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上面还是有些扯淡!---主要还是研究增强型MOS管

恒流区相当于晶体管的放大区

可变电阻区相当于晶体管的饱和区

截止区相当于晶体管的截止区!

栅源反偏,栅漏正偏--恒流区(放大)

栅源反偏,栅漏反偏--可变电阻区

栅源正偏--截止区

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还是看拉扎维的,这才是牛:



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