1、在半导体器件的内部结构中有一个PN结（N型与P型的结合点），当外加电压时电子从N型区流向p 型 区。由于pn结两边载流子的浓度不同，将产生扩散电流和由它产生的焦耳热使 Pn 结的温度升高；另一方面通过该结到漏极的电场强度增大，则促使空穴向 p- 空隙运动并形成一定的电动势——这就是所谓的雪崩效应，而多数情况下，一旦出现击穿现象就会导致整个电路发生短路或开路的现象，从而烧毁元件甚至破坏线路中的其它部分。因此采取一些措施来防止这种危害的发生，例如：加反向偏置、加大发射电阻等。

2、为了防止上述的危害性，通常在硅材料的表面涂覆一层金属膜以减小表面的接触面积和提高其耐压能力，此层称为耗尽层。如果让过多的电子进入耗尽层的话将会造成对晶体管的伤害并使晶体管过热损坏，因此在制作管子时应尽量减少它的使用量。另外为了提高功率密度及降低功耗通常采用多级联接方式进行封装，这样做的目的是为了让更多的电子有机会流入耗尽层而不是让它流出耗尽层。

3、根据以上分析可以知道要避免二极管被烧坏就要尽可能地增加二极管的导电率，也就是我们所说的导通电阻值小些。但如何控制这个参数呢？目前常用的方法是选择合适的技术来达到要求，如薄膜式集成电路就是利用不同的材料特性达到这一目的的方法之一。

4、对于单向导电性的半导体来说可以通过改变电极间的距离来实现，但对于双方向导电的双极性半导体而言就借助特殊的制造方法了。一般说来，用离子注入法可制成具有高传导率的超低阻抗的二极管；这种方法是将掺杂后的化合物加热至高温使其分解成带正电荷的超薄氧化物薄片，再将其均匀喷涂于玻璃基片上即得成品。