Tranzystor 13001 (MJE13001) jest triodą krzemową wytwarzaną w technologii epitaksji planarnej. Ma strukturę N-P-N. Odnosi się do urządzeń średniej mocy. Produkowane w większości w fabrykach w Azji Południowo-Wschodniej i stosowane w urządzeniach elektronicznych wytwarzanych w tym samym regionie.

Spis treści

Główne cechy tranzystora 13001 to

Ten ostatni parametr jest deklarowany w dwóch trybach:

Producenci jako zaletę podają również niską zawartość tranzystor (zgodność z dyrektywą RoHS).

Ważne! W kartach katalogowych tranzystorów serii 13001 charakterystyki przyrządów półprzewodnikowych różnią się w zależności od producenta, dlatego mogą wystąpić pewne rozbieżności (zwykle do 20%).

Inne parametry istotne z punktu widzenia eksploatacji

Statyczny współczynnik przenoszenia prądu dla różnych trybów pracy jest podawany w zakresie:

Wszystkie dane techniczne podano w temperaturze otoczenia +25 °C. Tranzystor może być przechowywany w temperaturze otoczenia od minus 60 °C do +150 °C.

Tranzystor 13001 jest dostępny w elastycznych plastikowych obudowach typu "lead-in" do montażu w otworach:

Dostępne są również pakiety SMD:

Tranzystory w obudowach SMD są oznaczone literami H01A, H01C.

Ważne! Tranzystory różnych producentów mogą być poprzedzone symbolami MJE31001, TS31001 lub nie posiadać żadnego prefiksu. Ze względu na brak miejsca na obudowie prefiks często nie jest podawany i takie urządzenia mogą mieć różne rozmieszczenie styków. Jeśli jest to tranzystor nieznanego pochodzenia, lepiej jest wyjaśnić położenie styków za pomocą multimetr lub tester tranzystorów.

Bezpośredni sygnał analogowy tranzystor 13001 brak bezpośredniego odpowiednika w rosyjskiej nomenklaturze triod krzemowych, ale dla średnich warunków pracy można stosować półprzewodnikowe przyrządy krzemowe o strukturze N-P-N z tabeli.

W przypadku wartości znamionowych bliskich maksymalnym należy zadbać o taki dobór analogów, aby parametry pozwalały na pracę tranzystora w danym układzie. Należy również sprawdzić wyprowadzenia pinów urządzeń - mogą one nie odpowiadać wyprowadzeniom 13001, co może prowadzić do problemów z montażem na płytce (zwłaszcza w przypadku wersji SMD).

Alternatywnie można zastąpić te same wysokonapięciowe, ale o większej mocy tranzystory krzemowe N-P-N:

Różnią się one od 13001 głównie wyższym prądem kolektora i zwiększoną mocą, która może być rozpraszana przez przyrząd półprzewodnikowy, ale mogą się też różnić obudową i rozmieszczeniem styków.

W każdym przypadku należy sprawdzić rozmieszczenie styków. W wielu przypadkach odpowiednie mogą być tranzystory LB120, SI622 itp., ale należy dokładnie porównać ich charakterystyki.

Na przykład LB120 ma takie samo napięcie kolektor-emiter, wynoszące 400 V, ale między bazą a emiterem można przyłożyć nie więcej niż 6 V. Charakteryzuje się również nieco niższym maksymalnym rozproszeniem mocy - 0,8 W w porównaniu z 1 W w przypadku modelu 13001. Należy to wziąć pod uwagę przy podejmowaniu decyzji o zastąpieniu jednego urządzenia półprzewodnikowego innym. To samo dotyczy wysokonapięciowych tranzystorów krzemowych dużej mocy o strukturze N-P-N:

Urządzenia te zastępują serię 13001 pod względem funkcjonalnym i mają większą moc (a czasami wyższe napięcia robocze), ale przyporządkowanie styków i wymiary obudowy mogą być inne.

Tranzystory serii 13001 zostały zaprojektowane specjalnie do zastosowań w konwersji małej mocy jako elementy kluczowe (przełączające).

Zasadniczo nie ma ograniczeń w stosowaniu tranzystorów 13001 jako przełączników tranzystorowych. Półprzewodniki te mogą być również stosowane we wzmacniaczach małej częstotliwości w przypadkach, gdy nie jest wymagane specjalne wzmocnienie (współczynnik przenoszenia prądu serii 13001 jest mały jak na dzisiejsze standardy), ale w tych przypadkach nie są realizowane raczej wysokie parametry napięcia roboczego tych tranzystorów i ich szybka odpowiedź.

W takich przypadkach lepiej jest stosować bardziej powszechne i tańsze typy tranzystorów. Przy budowie wzmacniaczy należy również pamiętać, że tranzystor 31001 nie ma pary komplementarnej, więc mogą wystąpić problemy z układem kaskadowym push-pull.

Na rysunku przedstawiono typowy przykład zastosowania urządzenia 13001 w ładowarce do baterii przenośnych. Elementem kluczowym jest trioda krzemowa, która tworzy impulsy na uzwojeniu pierwotnym transformatora TR1. Wytrzymuje on pełne wyprostowane napięcie sieciowe z dużym zapasem i nie wymaga stosowania dodatkowych obwodów.

Podczas lutowania tranzystorów należy zachować pewną ostrożność, aby uniknąć niepotrzebnego nagrzewania. Idealny profil temperatury jest przedstawiony na rysunku i składa się z trzech etapów:

Harmonogram ten jest trudny do przestrzegania w domu lub w warsztacie i nie ma większego znaczenia przy demontażu i montażu pojedynczego tranzystora. Najważniejsze jest, aby nie przekraczać maksymalnej dopuszczalnej temperatury lutowania.

Tranzystory 13001 mają opinię dość niezawodnych, a w warunkach eksploatacji nieprzekraczających określonych limitów mogą działać bezawaryjnie przez długi czas.

Opis, dane techniczne i odpowiedniki diod prostowniczych serii 1N4001-1N4007

Opis, dane techniczne i schemat połączeń regulatora napięcia KREN 142

Jak działa tranzystor i gdzie się go używa?

Jak działa mikroukład TL431, schemat układu, charakterystyka i sprawdzanie działania

Opis, budowa i zasada działania tranzystora polowego

Opis właściwości, przypisanie pinów i przykładowe schematy liniowego regulatora napięcia LM317