瞻芯电子推出2款TOLL封装650V SiC MOSFET新产品 |
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近日,瞻芯电子正式推出2款650V TOLL封装的碳化硅(SiC) MOSFET产品,分别为650V 40mΩ和60mΩ的SiC MOSFET,现已完成工规级可靠性认证(JEDEC)。 这两款产品采用TOLL(TO-leadless)封装,能满足更紧凑、低损耗、更高功率设计的应用要求,帮助高性能电源提高能效和功率密度,并改善电磁干扰(EMI) ,简化PCB 设计。 众所周知,SiC 器件比Si器件具有明显的优势,包括:更低损耗、更高频率、更低的EMI、耐受更高工作温度和更可靠。 TOLL是一种表面贴装型封装,瞻芯电子的TOLL封装产品投影尺寸为 10.10 mm x 11.88 mm,对比TO263-7(D2PAK 7)封装, PCB 占用面积减少20%。而且,它的外形厚度仅为 2.40 mm,比 TO263-7(D2PAK 7)封装的体积小 60%。 ![]() 当性能更优的SiC MOSFET 采用TOLL封装后,不仅显著减小体积、降低损耗,而且对比 TO263-7(D2PAK 7)封装,背面金属片的尺寸更大,散热性能更好。除了尺寸更小,TOLL 封装也是开尔文源极(Kelvin source)配置(4引脚型封装),能减小封装中源极线的电感,来抑制开关时产生的振荡,门极噪声更低,降低了开关损耗,有利于发挥MOSFET高速开关的性能优势。 IV1Q06040L1 ,IV1Q06060L1G是瞻芯电子首批采用TOLL封装的SiC MOSFET,主要适用于要求严苛的光伏逆变器、UPS电源、工业电机驱动、高压DC/DC变换器、开关电源等场景。相对Si器件较低的栅极总电荷,能显著降低开关损耗,且适应-55~ 175°C 工作温度范围。 ![]() 封装特性: 适合于更高开关频率应用(实现高功率密度) 因具有较大尺寸的后面金属片,可降低器件温度 比TO-263-7L封装,厚度更低,占用PCB面积更小 比TO-263-7L封装,源电感更低应用领域: 光伏/Solar 储能/ESS & UPS 数据中心电源/Datacenter Power 工业与医疗电源/Industrial & Medical Power 电机驱动/Motor Drives 通信电源/Telecom Power![]() 文章来源: 瞻芯电子 |
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